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三种led衬底材料的比较

料。这三种衬底材料的综合性能比较可参见表1。除了以上三种常用的衬底材料之外,还有gaas、AlN、zno等材料也可作为衬底,通常根据设计的需要选择使用。衬底材料的评价  1.衬底与外

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00

[原创]led的散热(一)

底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是gan的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂,解决的方法是在中间加一层氮化铝(AlN)作缓

  http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/3/7/139179.html2011/3/7 15:40:00

三种led衬底材料的比较

应的成本。三种衬底的性能比较前面的内容介绍的就是制作led芯片常用的三种衬底材料。这三种衬底材料的综合性能比较可参见表1。除了以上三种常用的衬底材料之外,还有gaas、AlN、zno

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00

gan材料的特性及其应用

i衬底上生长gan单晶,首先在1150℃生长AlN缓冲层,而后生长gan结晶。生长该材料的典型条件如下:nh3:3l/mintmga:20μmol/minv/ⅲ=6500n2:3~

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230091.html2011/7/18 23:39:00

[原创]led的散热(一)

底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是gan的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂,解决的方法是在中间加一层氮化铝(AlN)作缓

  http://blog.alighting.cn/25852/archive/2012/3/10/267444.html2012/3/10 10:14:59

[原创]led的散热(一)

底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是gan的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂,解决的方法是在中间加一层氮化铝(AlN)作缓

  http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267555.html2012/3/12 19:16:18

[原创]led的散热(一)

底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是gan的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂,解决的方法是在中间加一层氮化铝(AlN)作缓

  http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282564.html2012/7/19 10:58:17

led散热之led芯片散热

制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是gan的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂,解决的方法是在中间加一层氮化铝(AlN)作缓冲。衬底材料导热系数w/(m·k)膨胀系数(x10e-

  http://blog.alighting.cn/trumpled/archive/2012/9/9/289456.html2012/9/9 11:47:13

ommb-led高光效集成面光源技术介绍

内外白光led室内通用照明迅速发展的瓶颈,是亟待解决的共性关键问题。commb-led光源技术中文含义解释为led芯片直接贴在高反光率的镜面金属基板上的高光效集成面光源技术,封装技

  https://www.alighting.cn/resource/2012/4/6/92052_85.htm2012/4/6 9:20:52

铁晶电子--供应led长城灯带

v)  主要适用范围 装饰照明  特点:选用优质高亮度芯片,采用f3平头led,基板为柔性fpc电路板,质地柔软,可根据工程和应用界面的需要,随意弯曲。  产品常用规格:24cm

  http://blog.alighting.cn/tiejing003/archive/2009/10/13/6971.html2009/10/13 12:05:00

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