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d了。 外延片也是半导体工艺当中的一种。在bipolar工艺中，硅片最底层是p型衬底硅（有的加点埋层）；然后在衬底上生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延层；再后来在外延层上注入基区
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/6/18/221788.html2011/6/18 22:58:00
率led路灯的光源采用低压直流供电、由gan基功率型蓝光led与黄色荧光粉合成的高效白光二极管，发光二极管(lightemittingdiode，简写为led)是基于半导体pn结形
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/6/18/221772.html2011/6/18 20:17:00
差压变送器包括型(基型)，hp型(高静压)和dr型(微差压)三种类型。以上三类变送器与智能放大板组合，可构成智能型差压变送器，它可通过符合hart协议的手操器相互通讯，进行设定和监
http://blog.alighting.cn/sensoryu/archive/2011/6/4/188302.html2011/6/4 16:40:00
铝基）、lf-2（环保铝基）； 铜箔厚度：1/2-6盎司； 线路层数：1-16层； 最小线宽：0.1mm(4 mils)； 最小线距：0.1mm(4 mils) ； 最
http://blog.alighting.cn/xinypcbcai/archive/2011/5/28/180533.html2011/5/28 11:34:00
http://blog.alighting.cn/xinypcbcai/archive/2011/5/28/180532.html2011/5/28 11:33:00
http://blog.alighting.cn/xinypcbcai/archive/2011/5/28/180531.html2011/5/28 11:32:00
http://blog.alighting.cn/xinypcbcai/archive/2011/5/28/180529.html2011/5/28 11:31:00
http://blog.alighting.cn/xinypcbcai/archive/2011/5/28/180528.html2011/5/28 11:29:00
据日媒报道，日本东北大学与罗姆将ZnO（氧化锌）类紫外led的发光强度提高到了100μw，为原来产品的1万倍。这一发光强度是ingan与gan类紫外led的约110倍。
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180479.html2011/5/27 22:40:00
少在控制fet和同步fet中使用powertrench® mosfet屏蔽柵極技術而產生的振鈴噪聲。同步fet還集成了一個肖特基二極管，免除外部緩衝器電路，提高總體性能和功率密度，同
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180477.html2011/5/27 22:30:00
