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クルマとケータイ、ドコモが目指す連携の形は

0mbpの伝送を成功させるなど開発は順調だ。 高速移動時で下り最大100mbps、低速移動時で下り最大1Gbpsの高速通信の実現を目指す4Gについても、ドコモは既に実証実験を進めており

  http://blog.alighting.cn/dfsunmis/archive/2009/10/27/7354.html2009/10/27 10:58:00

照明led的应用趋势

传统led灯中使用的芯片是0.25×0.25mm大小,而照明用的led一般都要在1.0× 1.0mm以上。专注于结构化裸片成型的设计工作-台式结构、倒金字塔结构和倒装芯片设计能

  http://blog.alighting.cn/zuokai/archive/2009/1/7/2218.html2009/1/7 13:16:00

「产业研究」国内led产业产业链自主创新研究

「产业研究」国内led产业产业链自主创新研究 经过30多年的发展,中国led产业在经历了买器件、买芯片、买外延片之路后,目前已初步实现了外延片和芯片自主生产,形成了较为完整的产

  http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34527.html2010/2/27 16:05:00

改善散热结构提升白光led使用寿命

过去 led 业者为了获利充分的白光 led 光束,曾经开发大尺寸 led 芯片试图藉此方式达成预期目标,不过实际上白光 led 的施加电力持续超过 1w 以上时光束反而会下

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134148.html2011/2/20 23:07:00

正面思考如何提升led道路照明可靠性

℃,方能确保高于85%出光效率下工作寿命达5万小时,且芯片pn结至本身导热片(tjs)温升为δt=6~15℃之间,另外led光效率与工作温度成反比性能特性,每升高10℃,就会导致光

  http://blog.alighting.cn/gaogong123/archive/2009/9/3/5813.html2009/9/3 11:27:00

正面思考如何提升led道路照明可靠性

5℃,方能确保高于85%出光效率下工作寿命达5万小时,且芯片pn结至本身导热片(tjs)温升为δt=6~15℃之间,另外led光效率与工作温度成反比性能特性,每升高10℃,就会导致

  http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114819.html2010/11/17 22:56:00

正面思考如何提升led道路照明可靠性

5℃,方能确保高于85%出光效率下工作寿命达5万小时,且芯片pn结至本身导热片(tjs)温升为δt=6~15℃之间,另外led光效率与工作温度成反比性能特性,每升高10℃,就会导致

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261388.html2012/1/8 20:27:24

硅衬底上Gan基led的研制进展

Gan外延层的干法腐蚀步骤。同时由于硅的硬度比蓝宝石和sic低,因此使用lsi加工中使用的通用切割设备就可以切出led芯片,节省了管芯生产成本。此外,由于目前 caas工业正从4英

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00

基于单片机的oled显示器的应用

r technoloGy公司推出的升压芯片。其输入电压为+1.5v~+5.5v,输出电压为+2.5v~+10v。其最大静态电流为20ma,当转换器处于关闭模式时,其剩余工作电流低于

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134141.html2011/2/20 23:04:00

[原创]led通电发光电路

载上的电压ul的瞬时值是0~25伏低电压称为过零电压不会损坏led负载这是关键。然后ul在5毫秒(即5000微秒)的时间内按正弦波慢慢升高至310伏,led是极快的器件,led的响

  http://blog.alighting.cn/lhj303/archive/2011/4/1/146089.html2011/4/1 17:26:00

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