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d showerhead)反应室和一套aix 2800g4 ht行星式反应室，这两款均是aixtron针对大尺寸GaN led制造的旗舰级设
https://www.alighting.cn/news/2008125/V13848.htm2008/1/25 11:10:44
近日，科技部公布“十二五”国家高技术研究发展计划(863计划)新材料技术领域“高效半导体照明关键材料技术研发”重大项目立项名单，其中南昌大学申报的“大尺寸si衬底GaN基led外
https://www.alighting.cn/news/2012214/n966637529.htm2012/2/14 10:21:25
2月9日，记者从江西省科技厅获悉，江西省“大尺寸si衬底GaN基led外延生长、芯片制备及封装技术” 课题获得“十二五”国家高技术研究发展计划资助5000多万元，居全国14项课
https://www.alighting.cn/news/2012210/n117137431.htm2012/2/10 8:55:09
上海 ims research在2011年4月1日刚刚发布了最新一季的GaN led供求报告，报告显示2011年对于led供应链来说又是光明的一年。然而，led上游供应链的蓬勃态
https://www.alighting.cn/news/201146/n256031084.htm2011/4/6 10:56:02
据日媒报道，日本东北大学与罗姆将zno（氧化锌）类紫外led的发光强度提高到了100μw，为原来产品的1万倍。这一发光强度是inGaN与GaN类紫外led的约110倍。
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180479.html2011/5/27 22:40:00
汽相晶圆(hvpe)技术采用这种技术可以快速生长出低位错密度的厚膜,可以用做采用其它方法进行同质晶圆生长的衬底。并且和衬底分离的GaN薄膜有可能成为体单晶GaN芯片的替代品。hvp
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
半导体照明引发照明领域第三次革命。上世纪九十年代末，第三代半导体材料GaN 技术的突破引发了照明领域的第三次革命，其标志是基于半导体发光二极管（led）的固态照明（亦称“半导体灯
https://www.alighting.cn/news/200794/V3821.htm2007/9/4 11:54:11
本文根据目前半导体照明的最新研究进展，介绍了GaN基白光led应用在室内照明领域的发展趋势，从视觉指标、光学参数、封装技术、价格等方面出发，指出了白光led在日常照明普及过程
https://www.alighting.cn/news/200961/V19863.htm2009/6/1 9:33:11
自20世纪90年代三位日裔科学家赤崎勇、天野浩和中村修二在GaN基蓝光led技术取得的重大突破以来，led技术快速发展。这也强有力地推动了照明技术的发展，已经并将对照明技术产生巨
https://www.alighting.cn/news/20150305/83161.htm2015/3/5 11:05:31
目前广泛用于照明、显示等可见光领域的GaN基蓝、绿光和白光led市场竞争激烈，已经成为“深红海”。因此，市场逐渐向被一直认为是“蓝海”的 紫外(uv)波段渗透。但是，紫外led由
https://www.alighting.cn/news/20150403/84109.htm2015/4/3 9:36:55
