站内搜索
与sic和gan相比，β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下
https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25
本文介绍的各项研究是与知名的第三方机构共同开展的，目的是检验极特先进科技有限公司的高级蓝宝石晶体长晶炉(asf?)生产的蓝宝石的粉红色调对led晶片或标准led制造工艺有何影
https://www.alighting.cn/2012/2/27 10:07:54
m，hall和pl对其进行研究。结果表明，在衬底温度为500℃时，生长的zno薄膜具有优良的晶体质量，电学性能和发光性
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47
与掺杂有关的耦合电子(空穴)气-纵光学声子模。根据喇曼光谱的选择定则,结合光致发光谱,发现alp-lo/to的相对强度比可以评定晶体algainp mqw的生长质
https://www.alighting.cn/resource/20110816/127308.htm2011/8/16 11:30:27
前主要用于大功率半导体器件，比如整流二极管，硅可控整流器，大功率晶体管等。单晶硅和多晶硅应用最
https://www.alighting.cn/resource/20110323/127841.htm2011/3/23 13:44:17
在863计划新材料领域“半导体照明工程”重大项目的支持下，近期山东大学晶体材料国家重点实验室徐现刚教授领导的研究小组承担的“sic单晶衬底制备”课题（课题编号：2006aa03
https://www.alighting.cn/resource/20070520/128497.htm2007/5/20 0:00:00
件，它将外来的原子掺进晶体里，而该原子可以释放（n型掺杂）或吸收一个电子（p型掺杂）。这样就在固体内部创造一个空
https://www.alighting.cn/resource/20081216/128644.htm2008/12/16 0:00:00
g)技术直接在碳化硅(sic)基板上刻出凹槽(trenches)，再利用旋转涂布法将半导体纳米晶体或荧光粉等荧光材料填入凹槽中，在凹槽间形成一个凸面桥，这个方法可以让白光led变得更
https://www.alighting.cn/resource/20081229/128651.htm2008/12/29 0:00:00
gan是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，gan具有高的电离度，在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下，gan晶体一般是六方纤锌矿结
https://www.alighting.cn/resource/20051216/128915.htm2005/12/16 0:00:00
石墨烯是一种由碳原子紧密排列成六边型，呈蜂巢晶格的二维晶体，即石墨的单原子层薄片，厚度只有0.35个纳米。但具有极强导电性、超高强度、高韧性、较高导热性能等数层光环，被誉为将在半
https://www.alighting.cn/resource/20170124/147826.htm2017/1/24 9:51:40
