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LED外延片技术发展趋势及LED外延片工艺

错密度,改善gan外延片层的晶体品质。首先在合适的上(蓝宝石或碳化)沉积一层gan,再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层,然后利用光刻和刻蚀技术,形成gan视窗和掩膜层

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00

大功率LED封装以及散热技术

上生长出pn结后将蓝宝石切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光LED芯片。 2.5algainn/碳化(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115541.html2010/11/20 23:42:00

大功率LED封装以及散热技术

上生长出pn结后将蓝宝石切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光LED芯片。 2.5algainn/碳化(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114843.html2010/11/18 0:13:00

大功率LED封装以及散热技术

上生长出pn结后将蓝宝石切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光LED芯片。 2.5algainn/碳化(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115542.html2010/11/20 23:43:00

大功率LED封装以及散热技术

上生长出pn结后将蓝宝石切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光LED芯片。 2.5algainn/碳化(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258628.html2011/12/19 11:09:50

大功率LED封装以及散热技术

上生长出pn结后将蓝宝石切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光LED芯片。 2.5algainn/碳化(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10

大功率LED封装以及散热技术

上生长出pn结后将蓝宝石切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光LED芯片。 2.5algainn/碳化(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262616.html2012/1/29 0:33:42

大功率LED封装以及散热技术

上生长出pn结后将蓝宝石切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光LED芯片。 2.5algainn/碳化(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271718.html2012/4/10 23:24:08

semi宣布成立hb-LED标准委员会

近日,由semi宣布由多家LED公司组成的hb-LED标准委员会于11月4日获批成立。该委员会成员涵盖了hb-LED器件生产、蓝宝石生产、mocvd制程,及关键设备、原材料供

  https://www.alighting.cn/news/20101126/110003.htm2010/11/26 0:00:00

bluglass新gan制备工艺实现成本节约

bluglass委托的独立公司-williams & kelly (wwk)对使用rpcvd(遥控等离子化学气相沉积)在玻璃上沉积的gan LED与mocvd法制备的LED

  https://www.alighting.cn/resource/20070411/128490.htm2007/4/11 0:00:00

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