站内搜索
引脚式led芯片封装工艺中封装缺陷不可避免。基于p-n结的光生伏特效应和电子隧穿效应,分析了一种封装缺陷对led支架回路光电流的影响。利用电磁感应定律对led支架回路光电流进
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230114.html2011/7/18 23:52:00
为了对gan/aln异质结电子结构有更为深入的认识,采用超原胞模型,对其进行了基于密度泛函理论的第一性原理计算.结果发现gan/aln为突变同型异质结,价带顶带阶为0.62ev,
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127132.htm2011/9/16 14:59:00
led作为一个电致发光的p-n结器件，其特性可通该p-n结的电 学参数，以及作为一个发光器件的光学参数来进行描述。 伏安特性是描述一个p-n结器件的重要参数，它是p-n结性
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120381.html2010/12/13 14:28:00
s（砷化镓）、gap（磷化镓）、gaasp（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是pn结。因此它具有一般p-n结的i-n特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具
http://blog.alighting.cn/www.msd-led.cn/archive/2012/11/6/296365.html2012/11/6 11:13:17
键。过大的驱动电流会提高hb led的结温,加快hb led的退化。照明应用中,为了获得更高的流明,需要使用大功率hb led。这些hb led的正向导通电流一般为350ma到1
http://blog.alighting.cn/gaogong123/archive/2009/9/10/6401.html2009/9/10 15:31:00
于led在工作过程中会放出大量的热量,使管芯结温迅速上升,led功率越高,发热效应越大.led芯片温度的升高将导致发光器件性能的变化与电光转换效率衰减,严重时甚至失效，根据实验测试表
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9237.html2008/10/30 20:34:00
d在工作过程中会放出大量的热量,使管芯结温迅速上升,led功率越高,发热效应越大.led芯片温度的升高将导致发光器件性能的变化与电光转换效率衰减,严重时甚至失效，根据实验测试表
http://blog.alighting.cn/ledalig/archive/2009/11/17/19555.html2009/11/17 20:31:00
s和znse等材料,当它被加上正向电压时,电子和空穴的复合过程中产生的过剩的能量就会以光能辐射出来。近年来尤其是20世纪90年代初，日本研究者中村修二成功研制出掺mg的同质结gan蓝光le
http://blog.alighting.cn/LVDEXPERT/archive/2009/11/30/20545.html2009/11/30 11:20:00
率要比传统片状散热器有较大幅度提高,能使led结温比普通散热器低15℃以上，并且防水性能比铝型材散热器的防水性能要好。 广州南科以负责任的态度从2005年开始研发，经过不断测
http://blog.alighting.cn/yjmyyxgs/archive/2010/1/29/26221.html2010/1/29 10:59:00
程中会放出大量的热量,使管芯结温迅速上升,led功率越高,发热效应越大.led芯片温度的升高将导致发光器件性能的变化与电光转换效率衰减,严重时甚至失效，根据实验测试表明：led自身温
http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34496.html2010/2/27 14:49:00
