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leD芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271795.html2012/4/10 23:36:34

2048像素leD平板显示器件的封装

国在光电显示器件的研制与生产方面与国外相比有较大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型leD智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度le

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271793.html2012/4/10 23:36:29

2048像素leD平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型leD智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度leD平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271789.html2012/4/10 23:33:46

leD芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

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升级利器 氙气前照灯改装探密

日,全球 30% 的汽车制造商都已经把氙气 今日焦点:前照灯作为车辆的原配套设备,在中国近期推出的全新奥迪、帕萨特、别克君威、马自达等豪华款均配备了氙气前照灯。与此同时,由于现有车

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271782.html2012/4/10 23:33:17

2048像素leD平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型leD智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度leD平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。表

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271779.html2012/4/10 23:33:07

2048像素leD平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型leD智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度leD平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。表

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leD芯片寿命试验

件的特点,经过对比试验和统计分析,最终规定了0.3×~0.3mm2以下芯片的寿命试验条件:● 样品随机抽取,数量为8~10粒芯片,制成ф5单灯;● 工作电流为30ma;● 环境条件

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采用leD光源的道路灯具应关注的焦点

失了40%~30%后再投射到路面上的。此类灯具的总体效率一般都在70%左右(只有国际著名品牌的此类道路灯具其效率可达到80%),并且上述的过度照明区域中过多的照度也属于浪费。综合分

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271772.html2012/4/10 23:32:35

浅谈leD產生有色光的方法

leD的发光顏色和发光效率与製作leD的材料和製程有关,目前广泛使用的有红、绿、蓝三种。由於leD工作电压低(仅1.5-3v),能主动发光且有一定亮度,亮度又能用电压(或电流)调

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