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子阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，并通过增
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268359.html2012/3/15 21:57:22
粉老化，严重影响器件的光学性能。 其次，ｌｅｄ散热问题是很大程度上取决于器件的封装结构和封装材料。针对传统ｌｅｄ采用的正装结构，为了改进它的散热而产生的芯片倒装技术，同时受硅片材
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268488.html2012/3/16 13:47:07
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271153.html2012/4/10 20:57:59
术和多量子阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271728.html2012/4/10 23:29:39
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274795.html2012/5/16 21:32:09
量难以控制，并且由于各处激发光不同，使得白光led容易出现黄斑或者蓝斑等光色不均匀现象。philipslumileds公司提出了保形涂覆的荧光粉涂覆方式，它们在倒装led芯片表面覆
http://blog.alighting.cn/110131/archive/2012/5/28/276214.html2012/5/28 10:06:27
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279497.html2012/6/20 23:06:36
时，技术水平也显著提升，量产的器件发光效率提高到110lm/w以上，与国际先进水平不断缩小;封装技术向倒装、集成封装发展，接近国际先进水平;自主研制的金属有机源、蓝宝石衬底得到大规
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2012/11/15/298160.html2012/11/15 16:48:12
级，需要改进封装结构，全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术，改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸点的硅载体直接装在
http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2012/12/31/306139.html2012/12/31 8:49:19
心专利，如蓝光led激发荧光粉发白光技术、图形衬底技术、led芯片垂直结构技术、倒装封装技术以及脉冲宽度调制pmw电源驱动技术等。 led知识产权成扼杀竞争对手利器 专利纠纷的次
http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/22/315101.html2013/4/22 10:39:43
