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丸善石化推出面向led芯片的纳米压印树脂

丸善石油化学开发出了面向led芯片表面微细加工用途的紫外线硬化型纳米压印树脂。在led芯片制造工序中,为了使led光能够向外高效输出,一般要在芯片表面上形成微细凹凸。据介绍,使

  https://www.alighting.cn/news/20110418/115922.htm2011/4/18 10:16:10

led芯片寿命试验

机抽取其中一片外延片中的8~10粒芯片,封装成ф5单灯器件,进行为96小时寿命试验,其结果代表本生产批的所有外延片。一般认为,试验周期为1000小时或以上的称为长期寿命试验。生产工

  http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/12/1/9362.html2008/12/1 11:11:00

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

山西长治led产业项目将形成500亿的年产值

币的年产值。中国工程院院士许祖彦指出,长治led项目实现了蓝宝石封装完全自主知识产权,打破了中国的外延片和芯片无知识产权的尴尬局

  https://www.alighting.cn/news/20100108/107653.htm2010/1/8 0:00:00

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