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led工艺技术介绍-led显示屏驱动芯片的应用

位时钟频率一般都在15 mhz以上。 在led上游外延片、芯片生产上,美国、日本、欧盟仍拥有很大的技术优势,而中国台湾地区则已成为全球重要的led生产基地。虽然中国在led外延

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258645.html2011/12/19 11:10:46

全球八大led芯片制造商

光,射频(rf)及微波器件,功率开关器件及适用于生产及科研的碳化硅(sic)外延片。  2,osram  osram是世界第二大光电半导体制造商,产品有照明,传感器,和影像处理器。公

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258630.html2011/12/19 11:09:53

功率型led封装技术的关键工艺分析

与白炽灯和荧光灯等通用性光源相比,距离甚远。因此,led要在照明领域发展,关键是要将其发光效率、光通量提高至现有照明光源的等级。功率型led所用的外延材料采用mocvd的外延生长技

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258617.html2011/12/19 11:09:24

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

led芯片寿命试验

是有很大的参考价值;寿命试验以外延片生产批为母样,随机抽取其中一片外延片中的8~10粒芯片,封装成ф5单灯器件,进行为96小时寿命试验,其结果代表本生产批的所有外延片。一般认为,试

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258569.html2011/12/19 11:00:50

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258557.html2011/12/19 10:59:35

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258547.html2011/12/19 10:59:07

led芯片降价空间大 可通过三种途径

电的蓝宝石那样必须都从一侧引出,这样不但可以减少管芯面积还可以省去对gan外延层的干法腐蚀步骤。同时由于硅的硬度比蓝宝石和sic低,在加工方面也可以节省一些成本。据国外某知名公司的估计使

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258536.html2011/12/19 10:58:43

led市场热潮汹涌 我国led产业面临海外市场上游瓶颈

业链中,中国企业依旧处在中下游产业端。  据悉,在整个led产业链的构成中,led外延片与芯片约占行业70%的利润,led封装约占10%~20%,led应用约占10%~20%。而中

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258531.html2011/12/19 10:58:33

led概述

、大屏幕显示系统。led可以作为显示屏,在计算机控制下,显示色彩变化万千的视频和图片。 led是一种能够将电能转化为可见光的半导体。  led外延片工艺流程:  近十几年来,为了开发蓝

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