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近年led产业在激烈竞争环境下，整体产业面临极大成本压力。为了提高客户制造成本优势，对于客户在上中游-图形化蓝宝石衬底(pss)制造业者及led磊晶的业者，特别针对降低人力成本
https://www.alighting.cn/news/20160620/141295.htm2016/6/20 10:09:11
程首先是将gaas衬底放入昂贵的有机化学汽相沉积炉（简mocvd，又称外延炉），再通入iii、ii族金属元素的烷基化合物（甲基或乙基化物）蒸气与非金属(v或vi族元素）的氢化物（或烷
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2010/8/18/91272.html2010/8/18 20:29:00
了纯度高,平整性好外,量产能力及磊晶成长速度亦较mbe为快,所以现在大都以mocvd来生产。其过程首先是将gaas衬底放入昂贵的有机化学汽相沉积炉(简mocvd,又称外延炉),再通
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
持；基于碳化硅衬底的led核心专利则主要被cree所垄断，严重阻碍国内led产业的发展；中国led外延片和芯片制造厂家，普遍缺乏受过良好教育与训练，有知识、有技术、有经验的高级企业管
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126747.html2011/1/9 20:00:00
石上剥离并转移至si衬底上，且gan薄膜的特性没有受到损伤和破坏。在此基础上，结合电镀cu树底的方式，制各出能发光的垂直型gan基led器
https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17
0 lm/w，这种新型结构在国内尚无产品，处于空白状况，目前国内所用的高流明效率的ingaalp功率型硅衬底led芯片全部从海外进口。 整个“十五”期间，我国的ingaalp超
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
形，n型欧姆接触区为梳状形，这样可以减小电阻。第四步，将带有金属化凸点的a1gainn芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管(esd)的硅载体上。美国cree公司是采用sic衬底制造a
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134163.html2011/2/20 23:13:00
a1gainn芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管(esd)的硅载体上。美国cree公司是采用sic衬底制造a1gainn超亮度led的全球唯一厂家，近年来a1galnn／sic芯
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230482.html2011/7/20 23:12:00
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232671.html2011/8/18 1:26:00
是2013年大陆led产业发展的主旋律;而产业链趋势，则将环绕在外延芯片、中功率器件、图形化衬底、通路、led背光应用等五大议题发展。1、外延芯片量增价格战引爆2012上半年订单的回暖带
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/12/4/302338.html2012/12/4 22:00:11
