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、以及 薄膜陶瓷基板三种，在传统高功率led元件，多以厚膜或低温共烧陶瓷基板作为晶粒散热基 板，再以打金线方式将led晶粒与陶瓷基板结合。 如前言所述，此金线连结限制了热量沿电
http://blog.alighting.cn/cngeiao/archive/2012/5/20/275040.html2012/5/20 20:21:28
http://blog.alighting.cn/cngeiao/archive/2012/5/20/275037.html2012/5/20 20:21:18
结合功率型gan 基蓝光led 芯片的电极分布, 在硅载体上电镀制作了金凸点, 然后通过热超声倒装焊接技术将led 芯片焊接到载体硅片上。结果表明, 在合适的热超声参数范围
https://www.alighting.cn/2012/5/17 14:01:47
大功率led器件的生产，需要制备合适的大功率led芯片，本文主要介绍国际上制造大功率led芯片的几种主流方法。
https://www.alighting.cn/2012/5/17 10:06:37
路和升压开关管，但是电感和用于续流的肖特基二极管还是外接的，这增加了电路的复杂性、成本和pcb面积。此外，由于闪光灯驱功电路、led、显示屏、手机天线一般位于手机上端，与手机的射频电
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274786.html2012/5/16 21:31:38
种应用中，必须提供低至中等大小的负载电流。此外，这种转换器采用小型封装，需要非常少的外部组件，通常仅需要3个陶瓷电容器。大多数升压型dc/dc转换器都进行了专门设计，以便为白光le
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274782.html2012/5/16 21:31:25
跌，即使封装技术允许高热量，不过 led 芯片的接合温度却有可能超过容许值，最后业者终于领悟到解决封装的散热问题才是根本方法。 有关 led 的使用寿命，例如改用矽质封装材料与陶
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274780.html2012/5/16 21:31:19
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274779.html2012/5/16 21:31:14
摘 要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35
高亮度led虽然具备了更省电、使用寿命更长及反应时间更快等优点，但仍得面对静电释放（esd）损害和热膨胀系数（tce）等效能瓶颈；本文将提出一套采次黏着基台（submoun
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274758.html2012/5/16 21:30:13
