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压：12V功率：35w色温：3000k光束角度：24°光通量：560lm2.光源深藏偏光射灯材质：铝合金光源：mr16电压：12V功率：50w色温：3000k光束角度：24°光通
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282706.html2012/7/19 11:48:01
著降低制造成本，照明亮度也优于传统白光lEd。2007年3 月，首尔半导体( ssc)推出3. 5万小时、光通量96 lm的八角形2 w 单芯片acrichE，可直接插在110
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282699.html2012/7/19 11:47:15
具：lighttools、zEmax、trancEpro等等。E 、照明设计与夜景照明效果表现很多老板把产品设计与照明设计混为一谈，或者认为做做效果图就是照明设计了，所以你看中国的照
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282671.html2012/7/19 11:40:13
现控制的领域中。 1.4 安全(低电压) lEd是低压器件，驱动单颗lEd的电压仅需2.5V～3V，驱动电流为几十毫安，不会造成触电事故，因而比较安全，也适用于低电压电源的场
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282648.html2012/7/19 11:12:35
种控制区域：一级（E1）：高环境亮度的区域(通常包括城市中用于居住和商业的区域，在这一区域中的夜生活比较丰富)；二级（E2）：中等环境亮度的区域(城市居住区)；三级：（E3）低环
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282647.html2012/7/19 11:12:24
质，lEd就转变成为一种电致发光的半导体二极管器件。lEd光源原理如图1所示。 人类历史上第一个lEd所使用的材料是砷化镓(gaas)，其正向pn结压降为1.424V，辐射红色光
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282638.html2012/7/19 11:11:50
误是把lEd的全部功率当成是其耗散功率pd。例如，一个1w的lEd，其正向电压是3.3V，正向电流是350ma。于是就把这二者的乘积1.155瓦作为其耗散功率。这是错误的。因为这
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282560.html2012/7/19 10:58:01
端不能堵住，而且灯具要么向下倾斜要么向上倾斜，可以让热空气能够顺畅地流动。 热辐射的散热公式为“q =E×s×f×δ(ta-tb)”。公式中q代表热辐射所交换的能力，E是物体表
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282559.html2012/7/19 10:57:59
做到的 4.灯头要相同中国过去大都是采用卡口式，改革开放以后大都改用和美国一样的螺口式。就是美国的E26或E27。这点也还是很容易做到的 5.电源要相同，都应该是220Vac（或美
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282556.html2012/7/19 10:57:52
径为17.5mm(图2)，正向电压16.6V，正向电流1.75a，热阻0.5°c/w。图2. 美国普瑞公司的集成lEd 高压lEd和这种集成lEd的主要差别在于高压lEd是全部串
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282553.html2012/7/19 10:57:42
