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led磊晶设备大厂veeco宣布台湾led磊晶厂商晶电日前订购数台turbodisc? epik?700 gallium nitride (GaN) mocvd系统，用于led生
https://www.alighting.cn/news/20160815/142845.htm2016/8/15 9:26:58
目前超高亮度白/蓝光led的品质取决于氮化镓磊晶(GaN)的材料品质，而氮化镓磊晶品质则与所使用的蓝宝石基板表面加工品质息息相关，蓝宝石(单晶al2o3 )c面与ⅲ-ⅴ和ⅱ-ⅵ
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/1/153840_35.htm2011/7/1 15:38:40
pss最近受到热捧，pps的衬底可以有效减少GaN外延材料的位元错密度，从而减小有源区的非辐射复合，提升内量子效率，减小反向漏电流，提高led的寿命;另一方面有源区发出的光，
https://www.alighting.cn/resource/20130117/126148.htm2013/1/17 20:11:08
https://www.alighting.cn/2011/9/28 15:01:17
ux:3在led芯片内部设置了向芯片表面内扩展的n型接触层。从该n型接触层起，通过数十个通孔(芯片尺寸为1mm见方时)，向芯片表面上的n型GaN类半导层进行电气连接。这样一来，便
https://www.alighting.cn/resource/20101013/128355.htm2010/10/13 0:00:00
而本届诺贝尔物理学奖的核心是，开发出了蓝色led使用的氮化镓(GaN)晶体的制作技术。虽然该技术开发出来后对社会的影响极大，但不能说因为可以制作出这种晶体，物理学方面的理论研究就
https://www.alighting.cn/news/20141015/86800.htm2014/10/15 11:35:22
体公司研发GaN衬底的led同质外延技术，美国普瑞光电公司、欧司朗osram、韩国三星、日本东芝等众多公司在开发矽衬底GaN基led技
https://www.alighting.cn/news/20121128/89354.htm2012/11/28 14:08:33
导体材料氮化镓基(GaN)蓝光发光二极管(led)芯片及相关产品，王怀兵博士时任副总经理，负责关键材料外延片的研发及生产，该项目后被列为国家火炬计划、深圳市重点建设高新技术项
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/17/314677.html2013/4/17 14:30:05
部(项目投资额1.5亿元)，开发和生产第三代半导体材料氮化镓基(GaN)蓝光发光二极管(led)芯片及相关产品，王怀兵博士时任副总经理，负责关键材料外延片的研发及生产，该项目后被列
http://blog.alighting.cn/wanghuaibing/archive/2013/4/25/315572.html2013/4/25 17:20:51
大功率照明级led的封装技术 从实际应用的角度来看，安装使用简单、体积相对较小的大功率led器件在大部分的照明应用中必将取代传统的小功率led器件。由小功率led组
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222027.html2011/6/19 22:45:00
