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浅析芯片发展瓶颈 高亮度led芯片硅衬底渐成主流

高亮度led主要分为红外光的gaas体系和algaas体系,红、橙、黄、绿色的algainp体系,绿色和蓝色的inGaN体系,以及紫外光的GaN和alGaN体系。目前inGaN

  https://www.alighting.cn/news/20130412/90243.htm2013/4/12 9:44:22

图形蓝宝石衬底GaN基发光二极管的研制

采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行icp干法刻蚀c面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(pss);然后,在pss上进行mocvd制作GaN基发光二极

  https://www.alighting.cn/resource/20130411/125742.htm2013/4/11 11:59:01

上海市路灯管理中心谢俊彦:led道路灯具可维护性探讨

d芯片、配光器件(反射器及透镜)和灯体几个相对独立的部分。每个部分须规定一定的接口标准,如:led芯片——驱动电流,输出光通量分布,led的排列;电源——输出电流可相应微调,可在应

  http://blog.alighting.cn/169628/archive/2013/4/11/314194.html2013/4/11 11:41:06

led照明新形势对标准化观察工作提出新要求

工,加强标准化体系顶层设计,完善半导体照明标准框架体系;以主要材料、led器件、led生产和灯具等产品标准为重点,推动关键共性、基础类、公益类重要技术标准的研究,成套、成体系制定标

  http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/4/11/314180.html2013/4/11 10:44:11

柔性oled制备及性能

屏体亮度达到120cd/m2;在金属衬底上,采用顶发光技术制备了foled元器件,顶发光器件与相对同发光层结构底发光器件有相近的电流效率,色坐标(x=0.69,y=0.31),色纯

  https://www.alighting.cn/resource/20130411/125746.htm2013/4/11 10:42:17

政策扶持推动led产业快速发展

断提升,并积极通过垂直整合,延伸产业链,发展产业集群,led企业逐渐缩小了与世界传统led巨头的差距。  我国led外延材料、芯片制造、器件封装、荧光粉等方面均已显现具有自主技术产

  http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/11/314167.html2013/4/11 10:15:01

双输出正弦波至逻辑转换器 实现最低附加抖动

凌力尔特公司日前推出 dc 至 300mhz 的双输出缓冲器 / 驱动器 / 逻辑转换器 ltc6957,该器件非常适用于将正弦波转换成相位噪声很低的逻辑电平信号。以前的解决方

  https://www.alighting.cn/pingce/20130410/121831.htm2013/4/10 15:15:39

【有奖征稿】高亮度高纯度白光led封装技术研究

析,可知在蓝宝石衬底和环氧树脂的界面间涂敷一层硅橡胶能改善光的折射率。改进光学器件的封装技术,可以大幅度提高大功率led的出光率(光通

  https://www.alighting.cn/2013/4/10 13:07:29

GaN基功率led电应力老化早期的退化特性

大,衰减较快。该结果对GaN led的改进有一定参考价

  https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42

led节能灯全面介绍

阳能led路灯关于led照明led照明即是发光二极管照明,是一种半导体固体发光器件。它是利用固体半导体芯片作为发光材料,在半导体中通过载流子发生复合放出过剩的能量而引起光子发射,直

  http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/4/10/314038.html2013/4/10 11:25:04

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