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量，其中包括局部埋于地下的钢筋混凝土地基，由穿孔金属包裹的“盒子”交错坐落在地基上方，其悬挑出来的部分形成了入 口。 站在一楼大厅可眺望室外的风景，这里一侧连着楼梯，另一
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246778.html2011/10/20 17:20:30
建筑师:hariri pontarini 建筑师事务所 地点:加拿大安大略省基奇纳 主持建筑师: siamak hariri 造价: 3600万美元 建
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246680.html2011/10/20 17:13:46
在于其完美的对称性，它的长椭圆形和半透明的外观。 这是一个自然和生物技术的集合，旨在对欧洲以外主要河流（伏尔加河和多瑙河之间，莱茵河和瓜达尔基维尔之间，甚至幼发拉底河和底格里斯河之
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246617.html2011/10/20 15:59:42
英国纽基the scarlet酒店 the scarlet将于2010年1月4日至2月12日关闭。栖息在优美的海滨之边，the scarlet酒店秉承体贴周到的理念，大胆的建筑风
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246593.html2011/10/20 15:58:40
利用光谱椭偏仪,系统研究了用脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上,温度分别为400℃,500℃,600℃和700℃制备的zno薄膜的光学特性。利用三层cauchy散
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:44:44
宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:36:53
走进开元广场，纪念碑上这样写道：大唐开元之治（公元713年-公元741年）是中国历史上公认的鼎盛时代。开元年间，唐玄宗李隆基励精图治，任贤纳谏，整饬吏治，倡兴文教，使得大唐王朝政
http://blog.alighting.cn/nsurprise/archive/2011/10/19/245158.html2011/10/19 1:58:07
中山大学光电材料国家重点实验室的研究人员采用四层硅delta掺杂的GaN作为n型覆层，显著提高了氮化物led的抗静电能力，这个改善是因为外延GaN材料晶体质量的改善和器件电流扩
https://www.alighting.cn/news/20111018/99947.htm2011/10/18 16:08:46
利用mocvd系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有关
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
delta掺杂技术是在维持氨气流量不变的情况下，通过选择性打开或者关闭三甲基镓和硅烷来实现。采用delta掺杂技术后，led器件的esd值从1200伏提高到4000伏以上，而
https://www.alighting.cn/news/20111017/99955.htm2011/10/17 10:49:53
