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硅(si)、碳化硅(sic)以外，氧化锌(zno)和氮化镓(GaN)等也是当前研究的焦点。无论是重点照明和整体照明的大功率芯片，还是用于装饰照明和一些简单辅助照明的小功率芯片，技
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2013/1/31/309123.html2013/1/31 10:29:56
据要求可设定不同的烘干时间。 第十一步：后测 将封拆好的 pcb 印刷线路板再用公用的检测工具进行电气性能测试，区分好坏劣劣。 随着科技的进步， 封装有铝基板 cob 封装、 co
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2013/1/31/309122.html2013/1/31 10:26:53
展的主要因素。对于led产能形成制约的是上游的主要材料，蓝宝石基板、mo气体等。而led的这些上游材料行业进入壁垒高，由国外少数公司控制，而且衬底的主要生产商毛利率在不断提高，说明市
http://blog.alighting.cn/szlisten/archive/2013/1/31/309095.html2013/1/31 9:00:25
盟(csa)统计，目前国内led外延芯片企业超过60家，已到位的mocvd设备数量约1000台，已成为mocvd机台数量最多的地区。但由于调试过程、工艺、人员、专利、市场需求等原
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/30/309059.html2013/1/30 15:29:19
据了解，由该型外延片制成的成品灯能将1瓦电能转化为100ml(光亮度单位)光能，比目前全球市场通用的led成灯光效能提高约3成。
https://www.alighting.cn/pingce/20130130/121960.htm2013/1/30 9:49:20
研究了热退火对inGaN/GaN多量子阱led的ni/au p GaN欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au
https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52
任委员、佛山市电子工程师评委会副主任委员、广东省电子高级工程师评审专家、佛山市电子学会理事长。 余彬海主持开发出的基于pcb的新型大功率白光led在基板材料、器件结构、生产工艺等方
http://blog.alighting.cn/169644/archive/2013/1/29/308920.html2013/1/29 15:10:24
昨日，神光皓瑞公司的新型led外延片及芯片生产项目在航天基地试产成功。据了解，由该型外延片制成的成品灯能将1瓦电能转化为100ml(光亮度单位)光能，比目前全球市场通用的led
https://www.alighting.cn/news/2013129/n830348653.htm2013/1/29 14:57:00
档领域。国产芯片尽管售价仅为进口芯片的1/10，但占国内市场不足10%。除此之外，高亮度功率型led芯片、器件80%以上均依赖进口。外延生产用关键设备mocvd和外延片衬底、封装
http://blog.alighting.cn/singnice/archive/2013/1/28/308869.html2013/1/28 22:19:21
号：zl201120357696.5；《一种led板上芯片的基板结构》，专利号：zl201220026895.2；《一种定向反射式长管led灯具》专利号：zl20122002593
http://blog.alighting.cn/169559/archive/2013/1/28/308831.html2013/1/28 16:01:17
