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smd贴片型LED的封装

一份出自武汉职业技术学院的,关于smd贴片型LED的封装的技术资料,现在分享给大家。

  https://www.alighting.cn/2013/3/4 13:44:39

诺奖得主天野浩:蓝色LED研究经历及LED应用现状与前景

手机屏、室外大屏幕、照明灯……如今LED(发光二极管)因其节能高效,在显示器和照明方面的用途越来越广泛。而为LED大规模使用奠定最重要一块基石的是日本科学家天野浩、赤崎勇和中村修

  https://www.alighting.cn/news/20170314/148906.htm2017/3/14 9:35:46

LED照明业界精英解答:csp技术对LED行业影响的八大追问!

“csp”一词出现之前,LED业内就提出”三无”概念,即”无封装、无金线、无支架”,其封装工艺简洁,所谓的无封装并不是真正省去封装环节,而是将部分封装工序提前到芯片工艺阶段完成,

  https://www.alighting.cn/news/20151203/134739.htm2015/12/3 9:43:32

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

摘 要:用同种gan基LED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基LED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

288英寸全球最大超高清LED电视发布

7月25日下午,利亚德光电正式发布全球最大的288英寸4k超高清LED大屏幕电视,并同期推出5款最小110英寸LED电视产品。与市面上主流的LED背光源液晶电视最大不同点在于,此

  https://www.alighting.cn/pingce/20130726/121763.htm2013/7/26 9:26:02

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