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lED 组装静电防护最低要求

造商来说,其结果是最损声誉的。 esd 以极高的强度很迅速地发生,放电电流流经 lED 的 pn 结时,产生的焦耳热使芯片 pn 两极之间局部介质 熔融,造成 pn 结短路或漏

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261432.html2012/1/8 21:28:50

小型lcd背光的lED驱动电路设计考虑因素

近驱动器的位置。此外,电流设定电阻(rfb)应该直接连接至芯片的接地,因为内部参考和检测电压之间的错误会直接影响lED电流精确度。  4. 在真实环境下测您的试产品  考虑显示屏在外

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261487.html2012/1/8 21:45:47

olED 进入手机主显示应用

在发现电子发光机理的十年后,有机发光二极管(olED)技术最终商用在手机,mp3和数码相机中。按display search的数据报告, 从2001年第一颗单芯片olED驱动器

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261490.html2012/1/8 21:45:57

光纤lED驱动电路的设计

d,hfbr-24xz内部集成了包括pin光电检测器、直流放大器及集电极开路输出schottky型晶体管的一个ic芯片,其输出可直接与流行的ttl及cmos集成电路相连。4一种实用的光

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261502.html2012/1/8 21:46:50

光纤lED驱动电路的设计

d,hfbr-24xz内部集成了包括pin光电检测器、直流放大器及集电极开路输出schottky型晶体管的一个ic芯片,其输出可直接与流行的ttl及cmos集成电路相连。4一种实用的光

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261517.html2012/1/8 21:47:31

lED概述

蚀 - n型电极(镀膜、退火、刻蚀) - p型电极(镀膜、退火、刻蚀) - 划片 - 芯片分检、分级  具体介绍如下:  固定:将单晶硅棒固定在加工台上。  切片:将单晶硅棒切成具

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261548.html2012/1/8 21:49:35

lED显示应用产品构建知识产权体系迫在眉睫

0亿元增长了44%。另据统计,2007年我国lED芯片产值达到15亿元,较2006年的10.5亿元增长43%;2007年我国lED封装产值达到168亿元,较2006年的148亿元增

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261558.html2012/1/8 21:50:45

lED知识产权时代已来临

较2006年的50亿元增长了44%。另据统计,2007年我国lED芯片产值达到15亿元,较2006年的10.5亿元增长43%;2007年我国lED封装产值达到168亿元,较2006

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261559.html2012/1/8 21:50:46

lED技术在照明领域的应用前景

些公司拥有原创性的专利,领导lED技术发展潮流并占有主流市场。  nichia 由于在ingan 的lED技术和生产白光lED的荧光粉材料上拥有多项专利,在ingan白色lED

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261576.html2012/1/8 21:51:22

2012年lED路灯市场分析

点。在lED芯片与封装技术的不断进步下,lED已经成为照明主角。越来越多的国家都制定节能减碳法规和照明标准规范,这不仅有助于lED照明应用市场的发展,也意味着lED路灯将立马成为主宰道

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261585.html2012/1/8 21:53:53

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