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在led行业中，我国自主创新的硅衬底led技术被誉为继碳化硅(sic)led技术、蓝宝石衬底led技术之外的第三条技术路线，其打破了日本和欧美led厂商形成的牢固的专利壁垒，拥
https://www.alighting.cn/news/201467/n323862863.htm2014/6/7 11:30:20
新的大功率芯片若采用传统式的led封装形式，将会因为散热不良而导致芯片结温讯速上升和环氧碳化变黄，从而造成器件的加速光衰直 至失效，甚至因为讯速的热膨胀所产生的应用力造成开路而失
https://www.alighting.cn/news/2008318/V14496.htm2008/3/18 11:12:41
近几年人们制造led晶粒/芯片过程中首先在衬底上制作氮化镓（gan）基的晶圆(外延片)，晶圆所需的材料源(碳化硅sic)和各种高纯的气体如氢气h2或氩气ar等惰性气体作为载体之
https://www.alighting.cn/news/20091014/V21194.htm2009/10/14 21:04:09
大家在做led测试时应该会发现当以高频电流驱动器，经常会出现烧黑现象，最终导致死灯。具体表现在金线周围胶体因持续高温下硅胶碳化烧黑，这是由于高频下阻抗远高于直流阻抗，阻抗的升高
https://www.alighting.cn/news/2009317/V19099.htm2009/3/17 11:27:35
从1907年发光二极管的发明到1995年蓝光led的成功开发，半导体照明经历了曲折的过程。其中包括在蓝光led研发过程中，碳化矽（sic）与氮化镓（gan）“阵营之争”。led经
https://www.alighting.cn/news/20071017/V12853.htm2007/10/17 14:13:49
cree公司ceo chuck swoboda表示，公司已经开始生产四英寸的外延片，同时计划在led产品方面增加研发开支，逐步转向四英寸碳化硅衬底，预计在第三季度度末四英寸芯片
https://www.alighting.cn/news/20090616/95477.htm2009/6/16 0:00:00
历经二十多年蓝光led技术革命，根据生长衬底不同，蓝光led技术已分流出三条主流技术：即以日本日亚为代表的蓝宝石衬底led技术、以美国cree为代表的碳化硅衬底led技术以及以中
https://www.alighting.cn/news/20141028/97673.htm2014/10/28 13:26:26
位于美国亚利桑那州凤凰城的玫瑰街实验室是一家产品和服务供应商，为私人所有，服务于可再生能源和半导体市场。它宣称第一个证实了基于硅片可以生产长波led设备，其相比于传统蓝宝石或碳化
https://www.alighting.cn/news/20110714/100744.htm2011/7/14 10:29:56
与碳化硅(sic)产品长期的效能表现有帮助。不过cree认为，在2008年底之前，该项技术还不会进入全面商业化的阶
https://www.alighting.cn/news/20070530/106317.htm2007/5/30 0:00:00
cree指出，xt-e led与最近推出的xb-d led是以最新碳化矽(silicon carbide)科技平台为基础，大幅改变了led的价格功能比。cree革命性的新平台克
https://www.alighting.cn/news/20120224/113871.htm2012/2/24 11:49:29
