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](1)、生长速率mocvd生长过程是由三甲基镓(tmg)扩散到衬底来控制,而不是表面动力学反应。在富砷条件下,其生长速率只取决于tmg压力,而与砷气压无关；而且在生长温度等于50
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
艺水平的不断发展和完善，gan基器件的发展十分迅速，目前已成为宽带隙半导体材料中一颗十分耀眼的新星。首 先 是 在蓝、绿光发光器件领域取得重大突破。1989年，ni山is公司每年
http://blog.alighting.cn/1059/archive/2012/3/15/267830.html2012/3/15 19:29:50
现。 热点二：2012年led封装技术四大发展趋势 led封装技术目前主要往高发光效率、高可靠性、高散热能力与薄型化四个方向发展，目前主要的亮点有：硅基led、cob封装技术、覆晶
http://blog.alighting.cn/langshi/archive/2012/5/7/273708.html2012/5/7 17:55:08
底和美国cree公司垄断碳化硅衬底半导体照明技术的局面，形成了具有完全自主知识产权的led技术方案，在国内甚至国际上占领了led产业技术高地。2011年1月，科技部批准的硅基半导体照
http://blog.alighting.cn/cqlq123/archive/2012/8/30/288681.html2012/8/30 19:16:16
在2013年有所显现。热点二：2012年led封装技术四大发展趋势led封装技术目前主要往高发光效率、高可靠性、高散热能力与薄型化四个方向发展，目前主要的亮点有：矽基led、cob封
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/10/23/294390.html2012/10/23 21:35:10
高散热能力与薄型化四个方向发展，目前主要的亮点有：硅基led、cob封装技术、覆晶型led芯片封装、高压led。 硅基led之所以引起业界越来越多的关注，是因为它比传统的蓝宝石基
http://blog.alighting.cn/gtekled/archive/2012/10/29/295181.html2012/10/29 15:28:55
模应用，金属mocvd样机研发成功。特别是我国硅基(硅衬底)led技术水平和产业取得突破性进展。南昌大学国家硅基led工程技术研究中心在电流密度35a/cm2下，硅衬底蓝光led器
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2012/11/15/298160.html2012/11/15 16:48:12
局。 1、联合创立的晶能光电是全球硅衬底led技术的主导者，其“硅衬底氮化镓基led材料及大功率器件”获2012年国家工信部信息产业重大技术发明，多次承担国家级重大科研和产业化项
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/9/313888.html2013/4/9 17:30:26
响了全球led竞争格局。 1、联合创立的晶能光电是全球硅衬底led技术的主导者，其“硅衬底氮化镓基led材料及大功率器件”获2012年国家工信部信息产业重大技术发明，多次承担国家级重
http://blog.alighting.cn/wangmin/archive/2013/4/24/315438.html2013/4/24 16:07:14
造，节能检查 一、看灯过程 前天应一个灯具经销商朋友的邀请，去湘北某市参观他作的一个华灯改造的试灯演示。下午近六时到现场，已改好了六基华灯。所谓改造就是在原有的华灯上装了一
http://blog.alighting.cn/75350/archive/2013/8/12/323267.html2013/8/12 11:04:33
