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2012年2月14日，2011年度国家科学技术奖励大会在北京隆重举行，大连美明外延片科技有限公司、中国科学院物理研究所、清华大学和大连路美芯片科技有限公司联合研发的《GaN基蓝绿
https://www.alighting.cn/news/20120216/99936.htm2012/2/16 10:58:26
2006年8月22日，虽然基于 GaN 或 alingap 的红、蓝光led(蓝宝石、sic 和gaas衬底)已取得重大进步，但绿光led的发展步伐却显得跟不上时代，导致了照明
https://www.alighting.cn/news/20060829/102265.htm2006/8/29 0:00:00
q 和剑桥大学组成团队基于6英寸硅衬底开发GaN发射器，来实现低成本芯片的制
https://www.alighting.cn/news/20070608/103134.htm2007/6/8 0:00:00
固态白光照明将成为二十一世纪经济的新的增长点。美国国会通过立案，计划在2015年前攻克技术关键和降低成本，使GaN led的白光固态照明进入家庭。从现在的发展速度看，led的白
https://www.alighting.cn/news/20050303/103641.htm2005/3/3 0:00:00
造蓝光、白光GaN led)的月需求量将由2009年12月的100万片(以2寸硅晶圆计算)大增近倍至200万
https://www.alighting.cn/news/20101028/103887.htm2010/10/28 10:11:52
3月4日，以led和oled将开创照明领域的未来为主题的照明研讨会于在东京的「lighting fair 2009」上召开了。蓝色led发明人、目前活跃在GaN发光组件研究第一
https://www.alighting.cn/news/20090309/105506.htm2009/3/9 0:00:00
德国mocvd设备供货商aixtron ag于日前接获上海龙德芯光电公司的设备订单，预计于2010年q2出货。龙德芯光电将利用aixtron mocvd设备生产GaN高亮度le
https://www.alighting.cn/news/20100528/105797.htm2010/5/28 0:00:00
展望2009年，牛津仪器针对6英吋衬底设备首次推出hvpe设备。oipt的等离子设备能用来刻蚀蓝宝石衬底，并在GaN沉积之前帮助衬底产生图案化特徵。一旦沉积完成，设备也能对蓝宝
https://www.alighting.cn/news/20081229/105808.htm2008/12/29 0:00:00
translucent称其vGaN产线是世界上第一条可盈利的可扩展reo基GaN衬底“iii-n半导体”的生产源。透明reo层的应用使得其产品在应力消除、晶体生长面平整度方面表
https://www.alighting.cn/news/20110811/115128.htm2011/8/11 10:01:28
据aixtron报道，昨日宣布收到来自上海蓝光新的mocvd设备订单，四套配置是crius? 31x2英寸 mocvd，用于生产高亮GaN led。据悉，这是上海蓝光在今年开春
https://www.alighting.cn/news/20100827/115982.htm2010/8/27 10:10:48
