站内搜索
示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外,还应尽量考虑降低产品制造成本。为此,我们将厚
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261514.html2012/1/8 21:47:22
长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn基超高亮
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261510.html2012/1/8 21:47:10
高亮度led虽然具备了更省电、使用寿命更长及反应时间更快等优点，但仍得面对静电释放（esd）损害和热膨胀系数（tce）等效能瓶颈；本文将提出一套采次黏着基台（submoun
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261488.html2012/1/8 21:45:48
摘 要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35
路和升压开关管，但是电感和用于续流的肖特基二极管还是外接的，这增加了电路的复杂性、成本和pcb面积。此外，由于闪光灯驱功电路、led、显示屏、手机天线一般位于手机上端，与手机的射频电
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261462.html2012/1/8 21:39:02
路。潜在性失 效则可使 led 的性能参数劣化，例如漏电流加大，一般 gan 基 led 受到静电损伤后所形成的隐患并无任何方法可 治愈。 3 、复杂性 : 在静电放电的情况下，起放
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261432.html2012/1/8 21:28:50
定的产品技术上创意才是有效的。与开关恒流方式比较六、led组合化封装是未来发展趋势模组的组合设计能有效的降低一次性封装成本；分散的封装形式有利于减低散热设计成本；选择国产的铝基pc
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261355.html2012/1/8 20:20:43
装成本；分散的封装形式有利于减低散热设计成本；选择国产的铝基pcb板材；便于光学设计；电源设计简化；封装形式多样；有利增强国产led竞争力。 这是cree、nichia
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261353.html2012/1/8 20:20:40
例如-coor基團，能產生紫外-可見吸收的官能團，如一個或幾個不飽和基團，或不飽和雜原子基團，c=c, c=o, n=n, n=o等稱為生色團（chromophore）; 助色
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261344.html2012/1/8 20:19:53
m波长的led器件,制作纹理结构后,发光效率可达30lm/w,其值已接近透明衬底器件的水准。 四、倒装芯片技术 通过mocvd 技术在兰宝石衬底上生长gan基led结构层,由p/
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40
