站内搜索
讨论了采用mocvd在al2 o3衬底上生长GaN过程中的极性问题。在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一al层来改变外延层的极性 ,并用ciciss来测量这一极性 ,最后给出了一
https://www.alighting.cn/resource/20111008/127042.htm2011/10/8 11:28:23
利用方势阱模型对inxga1-xn/ganmqws结构的光特性进行了量子力学定性理论分析.并在mo源流量恒定条件下,在570℃~640℃范围内进行了不同生长温度的多量子阱制备实验,
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127050.htm2011/9/30 10:32:39
目前超高亮度白/蓝光led的品质取决于氮化镓磊晶(GaN)的材料品质，而氮化镓磊晶品质则与所使用的蓝宝石基板表面加工品质息息相关，蓝宝石(单晶al2o3 )c面与ⅲ-ⅴ和ⅱ-ⅵ
https://www.alighting.cn/2011/9/28 15:01:17
合肥彩虹蓝光led项目于2010年8月30日在合肥新站综合开发试验区正式动工建设，经过一年奋战, 实现了首批高亮度氮化镓基led外延片的一次试产成功。
https://www.alighting.cn/news/20110927/116152.htm2011/9/27 13:34:51
目前，尚茂已完成散热铝板用于led晶粒及照明之用，并已开发完成。且该公司利基型产品占营收比重逐步提高，由3年前的15%提升至2011年的30%，预估2012年可上看50%以上的水
https://www.alighting.cn/news/20110922/115280.htm2011/9/22 13:38:54
csa落实2010年10月14日中华人民共和国科学技术部曹健林副部长和肯尼亚共和国高等教育与科学技术部基莱米?穆维利亚副部长签订的《关于建设中肯半导体照明示范工程的谅解备忘
https://www.alighting.cn/news/2011921/n384534580.htm2011/9/21 9:08:40
【回收塑料网讯】：废塑料基复合材料可再利用。具体如下：
http://blog.alighting.cn/110474/2011/9/20 10:00:47
利用透射光谱矩阵光学原理,对三种GaN或alGaN外延薄膜的透射光谱进行了分析.在传统的透射光谱拟合方法的基础上,添加了表征材料表面粗糙度、膜内散射情况的拟合参量,拟合曲线与实
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:37:06
通过分析影响电子溢出的因素,建立多量子阱的物理模型,得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响,认为极化效应使能带弯曲,电子溢出量子阱,溢出电流大幅度增加.考虑了
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:28:20
GaN基led的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状n电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状n电
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:18:40
