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目前，中国半导体照明产业发展向好，外延芯片企业的发展尤其迅速、封装企业规模继续保持较快增长、照明应用取得较大进展。2008年北京奥运会对led照明的集中展示让人们对led有了全
https://www.alighting.cn/news/2013128/n001248597.htm2013/1/28 15:18:21
通俗来讲，led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基板上生长结晶而成。采用的基板根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色 led等GaN类半导体材
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126108.htm2013/1/28 9:55:40
势。从长远看来，未来几年中，随着全球节能减排的盛行，环保和节能成为市场热点，led行业也开始升温。而我国led产业经过30多年的发展，虽然先后实现了自主生产器件、芯片和外延片，但自
http://blog.alighting.cn/aswei/archive/2013/1/26/308741.html2013/1/26 11:06:14
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，GaN主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
韩国首尔半导体(seoul semiconductor)开发出了在1mm见方蓝色led芯片上组合荧光材料，实现了光通量为500lm左右的白色。该开发品的特点是比以前的产品更容易提高
https://www.alighting.cn/pingce/20130123/121934.htm2013/1/23 11:10:35
还处在安装调试过程中，开工率仅略高于50%。有业内人士分析指出，预计明年led 上游领域仍将面临库存压力，洗牌在所难免。 专家表示，从整个上游投资情况来看，外延片投资增速从去
http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2013/1/23/308417.html2013/1/23 10:30:34
阐述了zno薄膜材料的结构特点、电学性质和光学特性,详细介绍了各种制备氧化锌薄膜的方法,包括磁控溅射法、化学气相沉积法、喷雾热解法、溶胶-凝胶法、激光脉冲沉积法、分子束外延法、原
https://www.alighting.cn/2013/1/23 10:04:19
出。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光
https://www.alighting.cn/news/2013122/n276448351.htm2013/1/22 14:18:06
田村制作所及其子公司光波公司近日展出了其开发的使用氧化镓(β-ga2o3)的白色led。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光体。其不同
https://www.alighting.cn/pingce/20130122/121938.htm2013/1/22 9:15:25
部致力于高亮度、大功率 led外延片、芯片和 led照明应用产品的研究、生产与应用，形成了高亮 度 led外延片、芯片、led封装、模组器件、led照明灯具、照明工程设计规划及实
http://blog.alighting.cn/ledzmq/archive/2013/1/21/308292.html2013/1/21 15:55:07
