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GaN类蓝色led的相关专利诉讼不断

围绕GaN类蓝色led的相关专利,大型led厂商曾在日本以及海外展开过诉讼。1996年日亚化学工业以丰田合成侵犯了该公司专利为由对后者提起诉讼,为了与之对抗,丰田合成也起诉了日

  https://www.alighting.cn/news/20100820/116138.htm2010/8/20 11:14:13

oled技术现状分析及前景预测

oled显示技术与传统的lcd显示方式不同,无需背光灯,采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板,当有电流通过时,这些有机材料就会发光。而且oled显示屏幕可以做得更轻更薄,可视角度更大

  https://www.alighting.cn/news/2010819/V24824.htm2010/8/19 9:59:00

led外延片(外延)的成长工艺-流明无限led灯具设计工作室

速与温度,使颈部的直径逐渐增加到所需的大小。 4、晶体成长(body growth) 利用拉速与温度变化的调整来迟维持固定的晶棒直径,所以坩锅必须不断的上升来维持固定的液面高

  http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2010/8/18/91272.html2010/8/18 20:29:00

【led术语】GaN(gallium nitride)

由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm),比硅(si)要宽3倍。利用该特性,GaN主要应用于光元件。通过混合铟(in)和

  https://www.alighting.cn/resource/20100817/128306.htm2010/8/17 17:42:27

【led术语】基片(substrate)

led和半导体激光器等的发光部分的半导体层,是在基片上生长结晶而成。采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等GaN类半导体材料的led芯片,

  https://www.alighting.cn/resource/20100817/128307.htm2010/8/17 17:40:08

【led术语】量子阱(quantum well)

利用带隙较宽的层夹住带隙窄且极薄的层形成的构造。带隙较窄的层的电势要比周围(带隙较宽的层)低,因此形成了势阱(量子阱)。在led和半导体激光器中,量子阱构造用于放射光的活性层。

  https://www.alighting.cn/resource/20100817/128308.htm2010/8/17 17:37:46

【led术语】压电电场(piezoelectric fields)

根据结晶构造的应力而产生的压电极化而发生的电场。是导致以inGaNGaN类半导体为发光层的蓝色led和绿色led的外部量子效率降低的原因之一。

  https://www.alighting.cn/resource/20100817/128317.htm2010/8/17 15:38:38

【led术语】蓝色led专利诉讼

围绕GaN类蓝色led的相关专利,大型led厂商曾在日本以及海外展开过诉讼。1996年日亚化学工业以丰田合成侵犯了该公司专利为由对后者提起诉讼,为了与之对抗,丰田合成也起诉了日

  https://www.alighting.cn/resource/20100817/128324.htm2010/8/17 14:21:23

天龙光电积极布局蓝宝石长晶领域

全球光伏设备厂如gt solar与amtech sys(asys us)股价走势坚挺,研究部维持光伏制程设备板块加码评等,天龙光电在蓝宝石晶体生长技术发展进度与gt solar同

  https://www.alighting.cn/news/20100816/117056.htm2010/8/16 10:25:59

天龙光电积极布局蓝宝石长晶领域

全球光伏设备厂如gt solar与amtech sys(asys us)股价走势坚挺,研究部维持光伏制程设备板块加码评等,天龙光电在蓝宝石晶体生长技术发展进度与gt solar同

  https://www.alighting.cn/news/20100813/120948.htm2010/8/13 0:00:00

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