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智能照明引领全球发展趋势

至2010年出现,然而实际上led发展更快些。marten f.c. willemsen还说道,在过去数十年,led在通用照明的渗透率的提升主要基于的提升和成本的下降。(

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2014/6/18/353059.html2014/6/18 18:23:25

决定led灯的技术发展方向的五要素

、硅和碳化硅,发展到氧化锌、氮化镓等新材料。在短短数年内,借助于包括芯片结构、表面粗化处理和多量子阱结构设计在内的一系列技术改进,led在方面实现了巨大突破。   硅基底成

  http://blog.alighting.cn/220048/archive/2014/9/25/358330.html2014/9/25 14:58:08

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝芯片,研究单位的水平为蓝6 mw左右,绿1~2 mw,紫1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发二极管的内量子率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232833.html2011/8/19 1:07:00

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝芯片,研究单位的水平为蓝6 mw左右,绿1~2 mw,紫1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发二极管的内量子率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233025.html2011/8/19 23:25:00

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝芯片,研究单位的水平为蓝6 mw左右,绿1~2 mw,紫1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发二极管的内量子率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258547.html2011/12/19 10:59:07

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝芯片,研究单位的水平为蓝6 mw左右,绿1~2 mw,紫1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发二极管的内量子率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258557.html2011/12/19 10:59:35

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝芯片,研究单位的水平为蓝6 mw左右,绿1~2 mw,紫1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发二极管的内量子率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261510.html2012/1/8 21:47:10

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝芯片,研究单位的水平为蓝6 mw左右,绿1~2 mw,紫1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发二极管的内量子率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261521.html2012/1/8 21:47:42

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝芯片,研究单位的水平为蓝6 mw左右,绿1~2 mw,紫1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发二极管的内量子率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262683.html2012/1/29 0:37:42

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝芯片,研究单位的水平为蓝6 mw左右,绿1~2 mw,紫1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发二极管的内量子率己有了非常大的改善,如波

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