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src设立cmos研究中心

体(non-classical cmos)研究中心。研究中心将在三年内投资700万美元研发iii-v族半导体材料以提升cmos的性

  https://www.alighting.cn/news/20060718/101868.htm2006/7/18 0:00:00

我国氮化镓基半导体激光器研究取得突破

由中科院半导体所和中科光电有限公司共同承担的国家“863”计划光电子材料与器件主题项目“氮化镓基激光器”获得重大突破,在中国大陆首次研制成功具有自主知识产权的氮化镓基激光器原型。

  https://www.alighting.cn/resource/20060712/128476.htm2006/7/12 0:00:00

衬底材料——半导体照明的基石

展的基石,是半导体照明产业的核心技术,具有举足轻重的地位。衬底材料的选用直接决定了led芯片的制造路

  https://www.alighting.cn/resource/20060627/128937.htm2006/6/27 0:00:00

平面显示器展 led背光成重点

二○○六年台湾平面显示器大展(fpd taiwan)将于六月十四日登场,截至五月底为止的统计,本届参展厂商约一百八十家,涵盖面板、材料、设备等上、下游显示器相关厂商。而此次面板

  https://www.alighting.cn/news/20060612/101573.htm2006/6/12 0:00:00

蓄发光材料能给人类带来什么

目前,全球瞩目的四年一度的2006年世界杯足球赛即将拉开战幕。而矗立于德国世界杯赛场的300多平方米的led全彩显示屏就是来自中国路明集团的“中国光芯”。

  https://www.alighting.cn/news/20060602/92019.htm2006/6/2 0:00:00

具有发光奈米粒子之发光二极管

技术描述:奈米粒子或量子点会增加电子态密度(density of state),因而增加材料的发光效率。这些小尺寸的发光奈米粒子可用化学的方法形成奈米胶体粒子均匀分散在溶剂中,或

  https://www.alighting.cn/resource/20060522/128933.htm2006/5/22 0:00:00

ntt推出全球最短波长紫外线led

2006年5月18日,日本电报电话公司(ntt)开发出波长210 nm、aln衬底、可降解多氯化联苯、二恶英等有毒材料的紫外(uv)led。

  https://www.alighting.cn/news/20060519/101218.htm2006/5/19 0:00:00

“硅基镓氮固态光源关键技术研究”取得重要进展

由南昌大学承担的863计划新材料领域课题“硅基镓氮固态光源关键技术研究”日前通过了验收。该课题在第一代半导体材料硅衬底上研制成功第三代半导体材料氮化镓基蓝色发光二极管,处于国际领

  https://www.alighting.cn/news/20060414/104488.htm2006/4/14 0:00:00

半导体所与秦皇岛市签订mocvd项目合作协议

半导体所在国家“863”计划等项目的支持下,成功研制出具有自主知识产权的研发型mocvd设备样机,并生产出性能优良的氮化镓材料,为了将这一成果早日实现国产设备产业化,4月11

  https://www.alighting.cn/news/20060413/104486.htm2006/4/13 0:00:00

第三代半导体材料gan产业现状和投资机会

作为一种化合物半导体材料,gan材料具有许多硅基半导体材料所不具备的优异性能,包括能够满足大功率、高温高频和高速半导体器件的工作要求。其中gan区别于第一和第二代半导体材料最重

  https://www.alighting.cn/news/20060412/121135.htm2006/4/12 0:00:00

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