晶能光电：大尺寸硅衬底LED技术的最新进展

6月10日，在广州举行的2013年新世纪LED峰会外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产

  https://www.alighting.cn/news/20130617/112630.htm2013/6/17 17:57:58

奇丽光电推出7款LED室内照明产品

、LED坎灯、LED日光灯、大功率LED路灯)，并提供完整的LED散热方案及LED产品组装代工服

  https://www.alighting.cn/news/20100104/119250.htm2010/1/4 0:00:00

oLED柔性透明化显示技术及有机发光材料的发展和挑战

oLED显示因符合未来显示技术发展的要求而引起越来越多的关注和重视,柔性及透明化显示是未来显示发展的趋势。综述了oLED、柔性、透明化显示技术发展历程,并对现状进行了分析,指出目

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:41:09

突破LED照明产品价格障碍需从技术入手

就国内而言，预计未来3至5年，随着上游芯片的发展，室内照明产品占据半导体照明应用产品40%的比例非常乐观。

  https://www.alighting.cn/news/20120423/89299.htm2012/4/23 9:46:03

evident授权三星使用其量子点LED专利技术

  https://www.alighting.cn/news/20110509/100508.htm2011/5/9 11:02:19

LED芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1～2 mw,紫光1～2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232833.html2011/8/19 1:07:00

LED芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1～2 mw,紫光1～2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261510.html2012/1/8 21:47:10

LED芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1～2 mw,紫光1～2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261521.html2012/1/8 21:47:42

LED芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1～2 mw,紫光1～2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271785.html2012/4/10 23:33:32

LED芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1～2 mw,紫光1～2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271795.html2012/4/10 23:36:34