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led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mW,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mW,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262693.html2012/1/29 0:38:17

2048像素led平板显示器件的封装

d平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。表1通过对比列出了国外几款led平板显示器主要技术性能。本文介绍了一种采用厚膜混合集成技术研制的2048像素(64×32)矩阵式led平

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262691.html2012/1/29 0:38:09

光纤led驱动电路的设计

如,以太网和fddi标准指定采用多模62.5/125μm石英玻璃光纤。这些细纤芯的光纤需要高精度连接器以减少耦合损耗,对于工业应用,需要低成本的光缆和连接器。因此,1mm的po

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262690.html2012/1/29 0:38:07

2048像素led平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262687.html2012/1/29 0:37:54

一种有效的中断输入和led动态显示方法

0~p1.4低5位口线和外部中断intl上实现键盘输入和led显示器的扩展,其他口线全部留给用户使用。p1.0,p1.1分别为键盘扩展芯片74lsl64(1c2)和led驱动芯

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262685.html2012/1/29 0:37:48

半导体照明市场:五万亿美元的诱惑

估算,光电子产业将在 2010 年形成 5 万亿美元的市常近日,我国第一家生产高品质发光二极管的大边路美芯片科技公司有关人士称,半导体新技术正孕育一嘲照明革命”。其标志就是半导

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led芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mW,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mW,其外量子效率

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hid氙气灯

丝本身的材料熔点,一般原厂的 60W 卤素灯也顶多产生 3000~3200k 的色温度;若是改装灯泡,藉由提高钨丝电阻及瓦数, 100W 灯泡也最多提升到 3400~3800k 的

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262682.html2012/1/29 0:37:39

hid氙气灯

丝本身的材料熔点,一般原厂的 60W 卤素灯也顶多产生 3000~3200k 的色温度;若是改装灯泡,藉由提高钨丝电阻及瓦数, 100W 灯泡也最多提升到 3400~3800k 的

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262681.html2012/1/29 0:37:36

升级利器 氙气前照灯改装探密

合专门为其设计的配光镜和反射镜,因而成为一种最理想的改装方法。目前可改装氙气前照灯总成的车型,包括了帕萨特 b5 ,奥迪 a6 c5 ,以及宝马 5 系和奔驰 e- 级系列等。采用这

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