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本文依次分析了led的上、中、下游的技术现状，做了详细解说，并分析了led在未来的发展趋势。
https://www.alighting.cn/2013/12/30 10:10:52
目前工研院已成功建立高温常压磊晶机台，更已在gan on gan技术上深耕多年，从早期的hvpe氮化镓基板成长到目前的蓝紫光led磊晶技术，技术面皆已突破现今gan on sapp
https://www.alighting.cn/2013/11/5 9:56:22
本篇论文讨论了gt公司的oht蓝宝石材料等级检测技术，并重点介绍了gt公司如何运用oht技术，确保了其asft?长晶炉生产的蓝宝石材料满足或超越led级别的材料质量要求。
https://www.alighting.cn/2013/9/6 15:34:38
本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖层之
https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01
为了降低si衬底gan基led的开启电压及工作电压，本文提出了一种新型通孔结构发光二级管，并提出一种电路有限元模型，分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。
https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10
采用极性电气石(0001)晶面作为生长衬底,通过超声雾化热解技术,制备出直立片状晶体交叉构成的纳米zno薄膜,xrd和raman测试显示晶体为六方纤锌矿结构.利用电子探针和穆斯堡尔
https://www.alighting.cn/resource/20130603/125542.htm2013/6/3 10:41:19
分析了脉冲激光作用下gan的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下gan/al2o3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,单脉
https://www.alighting.cn/resource/20130527/125565.htm2013/5/27 10:24:56
使用准分子脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上制备了高度c轴取向的mgzno薄膜。分别使用sem、xrd、xps、pl谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性质。
https://www.alighting.cn/2013/5/23 10:57:11
为解决光子在半导体和空气界面处的全反射导致的gan基发光二极管外量子效率低下的问题,基于双光栅gan基发光二极管芯片模型的基本构成,利用蒙特卡罗算法及波动方程理论进行模拟,分析了光
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125645.htm2013/5/6 15:26:29
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了siled发
https://www.alighting.cn/2013/4/28 10:30:13
