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si基光发射材料的探索

光发射体。如何通过已有的物理学原理和可行的微加工技术把它改造成为有效的发光材料 ,甚至成为严格意义上的直接带隙材料 ,给实验研究工作者和材料设计理论工作者提出了挑

  https://www.alighting.cn/2011/10/28 14:00:14

sic缓冲层对si表面生长的zno薄膜结构和光电性能的改善

电性能进行了研究。实验结果表明:sic缓冲层改善了zno薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是sic作为柔性衬底能够减少zno与si之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12

mocvd制备in_xga_(1-x)n/gan mqws的温度依赖性

利用方势阱模型对inxga1-xn/ganmqws结构的光特性进行了量子力学定性理论分析.并在mo源流量恒定条件下,在570℃~640℃范围内进行了不同生长温度的多量子阱制备实

  https://www.alighting.cn/resource/20110930/127050.htm2011/9/30 10:32:39

led光源数字全息技术研究

用led的时间相干性较差、相干长度短的特点,抑制相干噪声,改善数字全息重建质量。在同一全息记录系统,通过实验,比较了用激光和led光源的数字全息重建图像质

  https://www.alighting.cn/resource/20110920/127111.htm2011/9/20 13:35:45

退火对用pld法制备zno薄膜的发光影响

用x射线衍射(xrd)谱和光致发光谱进行了表征.实验结果表明,随着退火温度的提高,zno薄膜的压应力减小,并向张应力转化

  https://www.alighting.cn/resource/20110906/127191.htm2011/9/6 14:09:53

led大屏幕显示屏灰度等级检测技术研究

级之间函数关系,提出了一种显示屏灰度等级的检测方法,利用采集到的灰度差增量幅度的统计结果,得出led大屏幕显示产品灰度级控制的能力。实验结果表明本文方法具有很好的实用

  https://www.alighting.cn/resource/20110819/127291.htm2011/8/19 15:24:42

60co辐照损伤对发光二极管性能影响的研究

性,实验结果与理论模型符合良好.通过对测量结果和以上模型的分析,深入研究低剂量电离辐照损伤和发光二极管性能衰减的关系

  https://www.alighting.cn/resource/20110818/127298.htm2011/8/18 14:31:26

时代之光与labsphere签订开发led检测仪器合作协议

国内照明电器行业的首个专业国际cb实验室,国家电光源质量监督检验中心(上海) 、国家灯具质量监督检验中心、上海时代之光照明电器检测有限公司与国际知名且资深的光学检测设备制造商-美

  https://www.alighting.cn/news/201148/n619831170.htm2011/4/8 17:46:35

led衬底材料、固晶方式及导热材料发展现状分析

最新实验报告显示,用100w的集成模块对比,用纯铜片的模块在芯片温度高到75摄氏度时,用金刚石-铜复合片的模块芯片温度只有65摄氏度。而今国内已开发出金刚石-铜复合片。导热率比纯

  https://www.alighting.cn/resource/20110707/127450.htm2011/7/7 11:58:41

金沙江创投欲创建全球照明帝国

国的“贝尔实验室”,集中全球最优秀的led人才,他相信这是金沙江能否在下一轮竞赛中继续领跑的关

  https://www.alighting.cn/news/2011530/n204232348.htm2011/5/30 18:32:37

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