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用普通的铝散热，经多次测试，热沉的温度就只比散热器底部高3-5摄氏度。也就是说，如果真能用到一种导热特好的材料，在热阻为零的情况下，也就可以把温度降低3-5摄氏度。 2.迷信热
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262821.html2012/1/29 0:47:17
d照明散热技术大功率led照明光源需要解决的散热问题涉及以下几个环节：1、 晶片pn结到外延层； 2、 外延层到封装基板； 3、 封装基板到外部冷却装置再到空气。半导体元器件通常对
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262808.html2012/1/29 0:46:22
金, 铜等)没有损伤，对硅及硅化合物（如sio2 或 si3n4）仅有极轻微损伤。蚀刻的速度快，能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻，还可以剥离超厚光刻胶层（大于1mm），可进
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262807.html2012/1/29 0:46:19
由于蓝宝石基板的导热係数差，影响led的发光效率。为了解决led的散热难题，未来有可能将主要采用垂直结构led的架构，促进led产业的技术发展。关于垂直结构led技术相信大家都有
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05
式led采用几颗晶片的方式是根据市场用户的要求进行的。在用户没有提出特殊要求时，一般选择挖槽孔型结构设计pcb板。pcb基板为bt板。二、挖槽孔方向的选择如果选择用挖槽孔型结构的方
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262771.html2012/1/29 0:44:02
d芯片，低热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是功率型led器件的技术关键。可采用低阻率、高导热性能的材料粘结芯片;在芯片下部加铜或铝质热沉，并采用半包封结构，加速散热;甚至设计二
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262769.html2012/1/29 0:43:56
掉原来用于生长外延层的衬底，然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上，如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37
与gaas基板具有绝佳匹配性。不过&helli由於gaas基板能隙小於这些材料能隙,加上led所散出的光又属於等向性光源；因此,有将近 50％光源会在进入能隙较小gaas基板
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262754.html2012/1/29 0:43:03
e等等。 欧盟委员会制订了“氮化镓铝铟多彩光源彩虹项目”计划（rainbow project-alingan for multicolor sourceas），俗称彩虹计划。该计
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262750.html2012/1/29 0:42:52
用寿命的关键。一般设计是直接将led和散热基板焊在一起，当led灯源损坏时，必须整个基座汰换。而工研院研发的acled采用可插拔式立体导热封装技术，除增加导热面积外，当灯源损耗
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262749.html2012/1/29 0:42:50
