站内搜索
w。开发出最大发光功率5w、120lm的白光led。 osram和gree开发出碳化硅衬底的GaN器件。 国外led的技术发展趋势是向大功率、高亮度、高效率、低成本方向发展。1．
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279449.html2012/6/20 23:05:25
led是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。led是由一个半导体的晶片，整个晶片被环氧树脂封装起，所以led照明的抗震性能好。 1998年发白光的led开发成功。这
http://blog.alighting.cn/88307/archive/2012/9/22/290654.html2012/9/22 17:00:31
料也得到了快速的发展。emc以其高可靠性、低成本、生产工艺简单、适合大规模生产等特点，占据了整个微电子封装材料97％以上的市场。现在，emc更是将触角伸至半导体器件、集成电路、消
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2013/12/1/345357.html2013/12/1 18:56:56
科锐正式宣布推出xlamp xhp35 led系列。xlamp xhp35 led器件比之科锐之前最高性能的单芯片led器件，能够提供50%更多光输出，为3535封装器件设立了性
https://www.alighting.cn/pingce/20150720/131122.htm2015/7/20 11:24:25
硅衬底发光二极管材料及器件”是一种新型发光材料与器件，即用“硅”代替传统的“蓝宝石”或“碳化硅”作衬底制造发光二极管材料及器件。
https://www.alighting.cn/news/2007210/V7952.htm2007/2/10 13:29:36
深圳市聚飞光电此次拟发行不超过2046万股，发行后总股本8000万股，拟于深交所上市。公司专业从事smd led器件的研发、生产与销售，主要产品为背光led器件和照明led器件。
https://www.alighting.cn/news/20111209/114272.htm2011/12/9 10:37:52
且和衬底分离的GaN薄膜有可能成为体单晶GaN芯片的替代品。hvpe的缺点是很难精确控制膜厚,反应气体对设备具有腐蚀性,影响GaN材料纯度的进一步提高。3.选择性外延片生长或侧向外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
板的快扩杂质也会引入发光区，形成大量的深能级，同样会加速led器件的光衰。 （2）高温时透明环氧树脂会变性、发黄，影响其透光性能，工作温度越高这种过程将进行得越快，这是led光
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222019.html2011/6/19 22:40:00
当处理功耗相对较大的器件时,通常有必要估算电源管理电路的温度。使用通用热阻可以很好地比较采用相同封装的相似器件,但很可能得不到准确的温度预测。因此,通常有必要采用复杂的热计算或直
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/21/183355_89.htm2011/7/21 18:33:55
采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等GaN类半导体材料的led芯片，则使用蓝宝石、sic和si等作为基片，如果是红色led等采
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127074.html2011/1/12 17:16:00
