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位较好的符合，表明了在多量子阱发光二极管中由于inn和GaN相分离而形成的富in类量子点结构，主导着inGaN基发光二极管发光波长，体现了inGaN基发光二极管量子点发光的本质。同
https://www.alighting.cn/resource/2009911/V936.htm2009/9/11 17:27:36
日前，飞利浦lumileds公司已选择美国维易科公司（veeco instruments inc.）的turbodisc? k465? 氮化镓（GaN）金属有机化学气相沉
https://www.alighting.cn/news/20090826/106482.htm2009/8/26 0:00:00
锋，该公司已选择veeco的turbodisc? k465? 氮化镓（GaN）金属有机化学气相沉积（mocvd）设备，以帮助其luxeon led产品进行大批量生
https://www.alighting.cn/news/20090825/118174.htm2009/8/25 0:00:00
以，如果我能得到1000万元的led风险投资基金，我就去组织微电子技术专家，首先跟踪、解码和设计光电半导体集成电路，走晶圆代工和芯片封装合作之路，解决照明产品专用半导体集成电路问题。
http://blog.alighting.cn/hdhkehui/archive/2009/8/23/5473.html2009/8/23 5:35:00
发光二极管(led)可以通过采用压印光刻的光子晶体提高效率。为了改进光提取和光束形状，很多led制造商正在开发光子晶体led。其挑战主要是晶圆并非非常清洁和平整，并容易带有数微
https://www.alighting.cn/news/20090813/92913.htm2009/8/13 0:00:00
日前，比利时研究中心(imec)推出一项联合开发计划(iiap：industrial affiliation program)，目标是降低氮化鎵(GaN)技术成本，采用大直径的硅
https://www.alighting.cn/news/20090813/93153.htm2009/8/13 0:00:00
松下电工成功开发出通过晶圆级接合，将封装有led的晶圆和配备有光传感器的晶圆合计4枚晶圆进行集成封装。该公司为了显示其晶圆级封装（wlp）的技术实力，在“第20届微机械/mems
https://www.alighting.cn/resource/20090805/128723.htm2009/8/5 0:00:00
以GaN为代表的iii-v族化合物及其三元、四元系材料因其良好的物理、化学性质被广泛的应用于光电和微电子器件，如照明和颜色显示的白光或彩色led，可用于信息存储和激印的蓝紫光激光
https://www.alighting.cn/news/20090803/91211.htm2009/8/3 0:00:00
业格局，世界主要厂商分布在美国、日本、欧盟等地，拥有GaN基蓝、绿光led、白光技术方面的核心专利，在产业规模上也具有优
https://www.alighting.cn/news/20090731/91210.htm2009/7/31 0:00:00
比利时研究中心(imec)推出一项联合开发计划,目标是降低氮化鎵(GaN)技术成本，采用大直径的硅基氮化鎵(GaN-on-si)，并开发高效率、大功率白光led，致力于推动氮化
https://www.alighting.cn/news/2009721/V20310.htm2009/7/21 11:27:11
