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目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因，对后期器件加工和应用带来很多不便，sic同样存在硬度高且成本昂
https://www.alighting.cn/2013/7/8 16:45:37
本论文主要围绕提高g8n基led的光提取效率之激光剥离技术以及基于激光剥离技术的垂直型gan基l即器件的制备进行研究。通过激光剥离并结合晶体键合技术，成功地将gan薄膜从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17
热阻的精确测量与器件结构分析是设计具有优良散热性能的大功率led的前提。本文研究了大功率led的光功率、环境温度和工作电流对热阻的影响规律,论述了积分式结构函数和微分式结构函
https://www.alighting.cn/2013/3/15 10:35:02
在过去的五年里，外资led封装企业不断内迁大陆，内资封装企业不断成长发展，技术不断成熟和创新。在中低端led器件封装领域，中国led封装企业的市场占有率较高，在高端led器件封
https://www.alighting.cn/resource/20111104/126922.htm2011/11/4 13:20:14
应用一种新颖的无损伤测量技术-连续波电光检测法(cweop)对gaas/gaalas单异质结发光管列阵电场分布进行了扫描测量.实验结果反映了器件内电流注入的方向和载流子扩展情
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127134.htm2011/9/16 14:25:52
通过引入散射理论建立了发光二极管模型,并考虑低计量率电离辐照损伤影响,建立了器件材料散射因子与辐照损伤的关系模型.在输入电流宽范围变化的条件下,测量了器件在不同辐照条件下的电学特
https://www.alighting.cn/resource/20110818/127298.htm2011/8/18 14:31:26
本研究基于蓝宝石图形衬底(pss)制备gan基40mil功率型led芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了led器件的光电性能。制备的led外延片波长集中在6nm范
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127407.htm2011/7/21 17:45:16
硅是集成电路产业的基础，半导体材料中98％是硅，半导体硅工业产品包括多晶硅、单晶硅（直拉和区熔）、外延片和非晶硅等，其中，直拉硅单晶广泛应用于集成电路和中小功率器件。区域熔单晶目
https://www.alighting.cn/resource/20110323/127841.htm2011/3/23 13:44:17
碳化硅 (sic) 功率器件市场领先者科锐公司 (nasdaq: cree) 日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200v z-rec? 碳化硅 (sic) 肖特基二极
https://www.alighting.cn/news/2011627/n668732779.htm2011/6/27 17:32:32
在早期,由于led主要被用作指示或显示灯用,而且一般以单颗器件出现,所以对于其波长的分选和亮度的控制要求并不高。但随着led的效率和亮度的不断提高,其应用范围越来越广。当led作
https://www.alighting.cn/resource/20101126/128195.htm2010/11/26 17:31:59
