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水立方led建筑物景观照明及控制系统

3)?;式中-etfe膜的透射率;?;u-利用系数;?;-每瓦led所发光通量,lm;?;l-亮度,cd/ m2;?;p-每平米etfe气枕表面所需led功率,w。(3)etfe

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229922.html2011/7/17 23:18:00

led外延的衬底材料有哪些

好,在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀;• [4]热学性能好,包括导热性好和热失配度小;• [5]导电性好,能制成上下结构;• [6]光学性能好,制作的器件所发出的光被衬底吸收

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00

led光源的道路灯具的设计要点

加上照明用led制造成本的大幅下降,所以照明用白光led已具备应用到一些照明领域的商用条件。但是,由于我国从计划经济时代以来很多年的产业结构分布所造成的局面,使得目前制造照明led的产

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229927.html2011/7/17 23:20:00

led芯片的制造工艺简介

理工序:本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关,但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化

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led背光与无彩色滤光片技术

统的电光转换效能达到约40%,对于提升系统色域及饱和度、降低材料成本等,都有非常显著的影响。两种不同的混色原理在传统彩色滤光片应用中, 单一像素乃由三个子像素所构成,每个子像素由一颗场

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led背光与无彩色滤光片技术

统的电光转换效能达到约40%,对于提升系统色域及饱和度、降低材料成本等,都有非常显著的影响。两种不同的混色原理在传统彩色滤光片应用中, 单一像素乃由三个子像素所构成,每个子像素由一颗场

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led外延生长工艺概述

伸长出的高纯度硅元素晶柱 (crystal ingot)上,所切下之圆形薄片称为外延片(外延片)。磊晶:砷化??磊晶依制程的不同,可分为lpe(液相磊晶)、mocvd(有机金属气相

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半导体照明灯具系统设计概述

本用不到一万小时就坏了,这是因为大家所使用的led是电子工业界最常使用的指示功能的ф3~ф5 mm led,利用简单的电子电路加大电流来增加其发光强度,但是led只获得了短暂的高亮

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led隧道照明灯具的节能分析

能无级控制系统跟踪晴天洞外亮度的洞内加强照明功率曲线,它也是实际led灯具功率需求曲线。每条线下部的面积即为该种灯具当日加强照明的总能耗。图中最上面一条均是高压钠灯的晴天照明功率线,

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led封装对光通量的强化原理

d已经跨足到公众场合的号志应用,此为国内工地外围的交通方向指示灯,即是用hb led所组构成。附注3:algainp(磷化铝镓铟)也称为「四元发光材料」,即是以al、ga、in、p四

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