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具制造商历来在各自设计中不考虑灯泡的热管理,只是提供足够对流来确保钨丝灯的高工作温度不会带来周围材料失火危险或夹具操作者灼伤危险。这一事实使高输出固态照明设备的大批量生产复杂化。然
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u的估算假定利用系数u在0.2-0.3之间。(5)每瓦led-光通量以蓝光为例,取单位功率(每瓦)10-15lm.(6)etfe气枕每平米表面所需功率约为6-15w,取6w。经过试
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229922.html2011/7/17 23:18:00
理,衬底与外延膜之间可以获得高质量的解理面,这将大大简化器件的结构；但是同时由于其层状结构,在衬底的表面常有给外延膜引入大量的缺陷的台阶出现。实现发光效率的目标要寄希望于gan衬
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大新兴市常我国已成为手机、电脑与电视生产与消费大国,预计2010年国内笔记本电脑、液晶显示器、液晶电视销量分别为1900万台、2500万台、1800万台,对功率型白光led的平均需求
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一定条件下,外延层的生长速度与金属有机源的供应量成正比。mocvd及相关设备技术发展现状：mocvd 技术自二十世纪六十年代首先提出以来,经过七十至八十年代的发展,九十年代已经成
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用,在ic中用量不大,它需要在单晶si片表面上沉积一薄的单晶si层。一般外延层的厚度为2～20μm,而衬底si厚度为610μm(150mm直径片和725μm(200mm片)。外延沉
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题；(2)发光完全可控,不存在液晶显示的背光泄漏或等离子显示的预放电问题,黑色表现力大大提高；(3)发光效率可达5lm/w,使其耗电量只有同规格的等离子和液晶显示器的一半；(4)由
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换很快,可以得到陡峭的界面。外延发生在加热的衬底的表面上,通过监控衬底的温度可以控制反应过程。在一定条件下,外延层的生长速度与金属有机源的供应量成正比。mocvd及相关设备技术发展现
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被五花八门的资讯搞的眼花撩乱,不知所措。这篇文章以目前比较主流的和未来的技术为架构,希望给初次涉入触控式面板的读者提供一些有用的参考。•电阻式电阻式触控萤幕可以说是目前使用量最
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硅工艺,这一般会增加器件的成本。其次,升压转换器的效率也随输出电压的增加而受到影响。表1所示为让4个白光led产生相同的光量,三种不同拓扑所需功率之比较。如果对效率的要求比较高,串
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