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led外延生长工艺概述

伸长出的高纯度硅元素晶柱 (crystal ingot)上,切下之圆形薄片称为外延片(外延片)。磊晶:砷化??磊晶依制程的不同,可分为lpe(液相磊晶)、mocvd(有机金属气相

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00

半导体照明灯具系统设计概述

本用不到一万小时就坏了,这是因为大家使用的led是电子工业界最常使用的指示功能的ф3~ф5 mm led,利用简单的电子电路加大电流来增加其发光强度,但是led只获得了短暂的高亮

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led隧道照明灯具的节能分析

能无级控制系统跟踪晴天洞外亮度的洞内加强照明功率曲线,它也是实际led灯具功率需求曲线。每条线下部的面积即为该种灯具当日加强照明的总能耗。图中最上面一条均是高压钠灯的晴天照明功率线,

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led封装对光通量的强化原理

d已经跨足到公众场合的号志应用,此为国内工地外围的交通方向指示灯,即是用hb led组构成。附注3:algainp(磷化铝镓铟)也称为「四元发光材料」,即是以al、ga、in、p四

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照明用led封装技术关键

/ w,新的大功率芯片若采用传统式的led 封装形式,将会因为散热不良而导致芯片结温迅速上升和环氧碳化变黄,从而造成器件的加速光衰直至失效,甚至因为迅速的热膨胀产生的应力造成开路

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229964.html2011/7/17 23:38:00

led作背光源的技术现状

板后方。两种技术相较,侧光式可节省较多led颗粒数量。以46英寸面板为例,直下式使用的led颗粒约1100~1300颗左右,而侧光式大约400~600颗即可。由于直下式使用le

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led生产过程中的湿度控制

% rh 72小时车间寿命 (对于6级,元件使用之前必须经过烘焙,并且必须在潮湿敏感注意标贴上规定的时间限定内回流)。发光二极管一般都属于2a、3、4 三个级别,其中smd 属于3

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超高亮led的驱动芯片mlx10801的功能和应用

见光频段,其发光效率可达80%~90%,led比节能灯还要节能1/4;3)色彩鲜艳,光色单纯 以12英寸的红色交通信号灯为例,它采用低光效的140w白炽灯作为光源,产生的200

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三种led衬底材料的比较

出10倍以上。蓝宝石本身是热的不良导体,并且在制作器件时底部需要使用银胶固晶,这种银胶的传热性能也很差。使用碳化硅衬底的芯片电极为l型,两个电极分布在器件的表面和底部,产生的热量可

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led的封装技术比较

d封装形式,将会因为散热不良而导致芯片结温迅速上升和环氧碳化变黄,从而造成器件的加速光衰直至失效,甚至因为迅速的热膨胀产生的应力造成开路而失效。对于大工作电流的功率型led芯片,低

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