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led芯片的制造工艺简介

理工序:本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和使用的技术有关,但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00

led背光与无彩色滤光片技术

统的电光转换效能达到约40%,对于提升系统色域及饱和度、降低材料成本等,都有非常显著的影响。两种不同的混色原理在传统彩色滤光片应用中, 单一像素乃由三个子像素构成,每个子像素由一颗场

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229939.html2011/7/17 23:25:00

led背光与无彩色滤光片技术

统的电光转换效能达到约40%,对于提升系统色域及饱和度、降低材料成本等,都有非常显著的影响。两种不同的混色原理在传统彩色滤光片应用中, 单一像素乃由三个子像素构成,每个子像素由一颗场

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229940.html2011/7/17 23:26:00

led外延生长工艺概述

伸长出的高纯度硅元素晶柱 (crystal ingot)上,切下之圆形薄片称为外延片(外延片)。磊晶:砷化??磊晶依制程的不同,可分为lpe(液相磊晶)、mocvd(有机金属气相

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00

半导体照明灯具系统设计概述

本用不到一万小时就坏了,这是因为大家使用的led是电子工业界最常使用的指示功能的ф3~ф5 mm led,利用简单的电子电路加大电流来增加其发光强度,但是led只获得了短暂的高亮

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led隧道照明灯具的节能分析

能无级控制系统跟踪晴天洞外亮度的洞内加强照明功率曲线,它也是实际led灯具功率需求曲线。每条线下部的面积即为该种灯具当日加强照明的总能耗。图中最上面一条均是高压钠灯的晴天照明功率线,

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229953.html2011/7/17 23:33:00

led封装对光通量的强化原理

d已经跨足到公众场合的号志应用,此为国内工地外围的交通方向指示灯,即是用hb led组构成。附注3:algainp(磷化铝镓铟)也称为「四元发光材料」,即是以al、ga、in、p四

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00

照明用led封装技术关键

/ w,新的大功率芯片若采用传统式的led 封装形式,将会因为散热不良而导致芯片结温迅速上升和环氧碳化变黄,从而造成器件的加速光衰直至失效,甚至因为迅速的热膨胀产生的应力造成开路

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led作背光源的技术现状

板后方。两种技术相较,侧光式可节省较多led颗粒数量。以46英寸面板为例,直下式使用的led颗粒约1100~1300颗左右,而侧光式大约400~600颗即可。由于直下式使用le

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led生产过程中的湿度控制

% rh 72小时车间寿命 (对于6级,元件使用之前必须经过烘焙,并且必须在潮湿敏感注意标贴上规定的时间限定内回流)。发光二极管一般都属于2a、3、4 三个级别,其中smd 属于3

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