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最新突破:led芯片抗反向静电能力达到3kv

韩国研究人员通过在led芯片中集成旁路二极管的方法将氮化铟镓led的抗反向静电能力提高到了3 kv.来自韩国光技术院(kopti) 和光州科学技术院的研究人员声称:“这种led芯

  https://www.alighting.cn/resource/20110706/127454.htm2011/7/6 11:12:35

晶能光电举行新一代硅基大功率led芯片产品发布会

6月12日,晶能光电(江西)有限公司新一代硅基大功率led芯片产品发布会在广州香格里拉大酒店举行。晶能光电此次共推出包含28*28、35*35、45*45和55*55在内的四款硅

  https://www.alighting.cn/news/2012627/n168540848.htm2012/6/27 16:58:02

采用光生伏特效应的led芯片在检测方法上的研究(下)

实验选用的激励光源为一种蓝色芯片黄色荧光粉的大功率白光led,激励光经过透镜汇聚以增强照射在芯片表面的光强,为了便于观察,激励光源采用脉冲输出方式,脉冲持续时间为5 ms。

  https://www.alighting.cn/news/20091224/V22328.htm2009/12/24 15:42:53

晶能光电赵汉民:硅衬底大功率led芯片产业化及应用

2012年6月10日上午,在“2012亚洲led高峰论坛”cto技术交流大会“led最新技术问题与解决之道:led芯片、封装的技术及工艺管理”专题分会上,晶能光电(江西)有限公司

  https://www.alighting.cn/news/20120613/89788.htm2012/6/13 18:38:54

亚威朗光电杭州湾led芯片项目正式投产

位于浙江杭州湾led产业园的亚威朗光电(中国)有限公司led外延片生产一期项目的4条led芯片生产线于日前正式投入生产,预计投产后,外延片日产量将达400片,芯片将达500万支。

  https://www.alighting.cn/news/20100804/104955.htm2010/8/4 0:00:00

国星光电投资25亿元的led外延芯片项目落成

8月1日,国星光电半导体外延芯片项目在广东省新光源产业基地落成。据悉,该项目投资规模25亿元人民币,占地面积约47亩,设计产能购置mocvd(金属有机化学气相沉积)生产线50条

  https://www.alighting.cn/news/20120802/113557.htm2012/8/2 13:44:37

cree推出红绿蓝白四晶多芯片 mc-e color led

日前,led 照明领域的市场领先者cree 公司宣布推出采用红、绿、蓝、白四晶封装的业界首款多芯片 mc-e color led,从而进一步壮大了其高功率彩色 led 产品的阵

  https://www.alighting.cn/news/20090508/119114.htm2009/5/8 0:00:00

单面发光的芯片级封装白光led——2015神灯奖申报技术

单面发光的芯片级封装白光led,为晶能光电(江西)有限公司2015神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20150414/84541.htm2015/4/14 20:52:00

白光芯片模组fp36-c7——2015神灯奖申报产品

白光芯片模组fp36-c7,为晶科电子(广州)有限公司2015神灯奖申报产品。

  https://www.alighting.cn/pingce/20150402/84083.htm2015/4/2 14:41:16

收购led发光二极管 库存清仓处理品 档外品

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