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了纯度高,平整性好外,量产能力及磊晶成长速度亦较mbe为快,所以现在大都以mocvd来生产。其过程首先是将gaas衬底放入昂贵的有机化学汽相沉积炉(简mocvd,又称外延炉),再通
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
张,但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。3.点胶在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。(对于gaas、sic导电衬底,具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片,采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229960.html2011/7/17 23:36:00
“golden dragon led”我国台湾uec 公司(国联)采用金属键合(metal bonding) 技术封装的mb 系列大功率led,其特点是用si 代替gaas 衬底,散
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00
题，但是与集成电路中互连线金属电迁移有所不同，主要是纵向迁移，即p型欧姆接触金属沿缺陷管道电迁移到达结区造成短路[7－11]，导致器件失效。由于没有匹配的衬底材料，外延生长的gan薄
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230348.html2011/7/20 0:20:00
距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。3.点胶在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于gaas、sic导电衬底，具有背面电极的红光、黄
http://blog.alighting.cn/lanyunsz/archive/2011/8/2/231475.html2011/8/2 10:39:00
w。开发出最大发光功率5w、120lm的白光led。 osram和gree开发出碳化硅衬底的gan器件。 国外led的技术发展趋势是向大功率、高亮度、高效率、低成本方向发展。1．
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233154.html2011/8/20 0:17:00
型芯片产业化水平达到80-90lm/w，更加接近国际产业化水平，在衬底设备、外延生产、芯片工艺等方面掌握了一批具有自主知识产权的技术，如si衬底芯片光效达到70lm/w。 在200
http://blog.alighting.cn/lsddesign/archive/2011/9/5/235054.html2011/9/5 17:57:01
时也起到告示他人的作用。人体带静电的多少，与人穿的不同面料衣服、及各人的体质有关，秋冬季黑夜我们脱衣服就很容易看见衣服之间的放电现象，这种静电放电的电压就有三千伏。 而碳化硅衬底芯
http://blog.alighting.cn/112007/archive/2011/11/16/253950.html2011/11/16 16:36:07
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258489.html2011/12/19 10:56:09
术也需改善. 在led产业链接中,上游是led衬底晶片及衬底生产,中游的产业化为led芯片设计及制造生产,下游归led封装与测试.研发低热阻、优异光学特性、高可靠的封装技术是新型le
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