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当处理功耗相对较大的器件时,通常有必要估算电源管理电路的温度。使用通用热阻可以很好地比较采用相同封装的相似器件,但很可能得不到准确的温度预测。因此,通常有必要采用复杂的热计算或直
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/21/183355_89.htm2011/7/21 18:33:55
采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等GaN类半导体材料的led芯片，则使用蓝宝石、sic和si等作为基片，如果是红色led等采
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127074.html2011/1/12 17:16:00
三星电子近期宣布推出全新 “三星 d 系列特殊色彩” cob器件。该器件完美呈现您所展示的商品，非常适合各种商业照明应用。
https://www.alighting.cn/pingce/20171117/153751.htm2017/11/17 9:41:43
将负折射率介质层(nridl)引入到微腔有机电致发光器件(moleds)中,设计了新型的微腔器件。利用传输矩阵法对此器件的反射率大小、器件厚度对发射峰的影响以及电致发光(el)光
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125644.htm2013/5/6 15:39:16
我们都知道led是一种半导体发光器件，半导体是一种热敏器件，也就是说它对于温度是非常敏感的。或者说温度会直接影响它的性能和参数。
https://www.alighting.cn/resource/20160120/136575.htm2016/1/20 10:11:42
2005年我国半导体分立器件市场外资、合资企业占我国分立器件市场的64.9%的份额
https://www.alighting.cn/news/200729/V4711.htm2007/2/9 9:54:35
大功率led器件的封装方法和封装材料并不能简单地套用传统的小功率led器件的封装方法与封装材料。
https://www.alighting.cn/news/20091029/V21430.htm2009/10/29 10:17:59
底的GaN芯片制备；GaN、lialo2、zno、aln等新型衬底的外延和芯片技术；功率型GaN基芯片制造；高效率大功率led封装技术；100lm/w以上功率led封装用有机硅材料；10
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21632.html2009/12/15 16:48:00
底的GaN芯片制备；GaN、lialo2、zno、aln等新型衬底的外延和芯片技术；功率型GaN基芯片制造；高效率大功率led封装技术；100lm/w以上功率led封装用有机硅材
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21633.html2009/12/15 16:48:00
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21634.html2009/12/15 16:48:00
