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着美国应用材料等国际知名光伏企业来陕，中国电力投资集团西北分公司 1000mw 太阳能电池项目、隆基 1500 吨硅片等重大生产性项目的落户，陕西省此类规模企业聚 集速度明显加快，产
https://www.alighting.cn/news/20110914/109421.htm2011/9/14 17:23:34
GaN（氮化镓）作为可大幅降低电力损耗的新一代功率半导体备受关注。利用GaN功率元件的环境目前正在迅速形成。很多企业将在2011年下半年至2012年期间开始供货GaN类功率元
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127148.htm2011/9/14 11:52:00
据报导，为了让照明用led进一步普及，三菱化学评估GaN基板的适当价格应压低至现行的1/10，达每平方公分1,000日圆的水平。
https://www.alighting.cn/news/20110914/115503.htm2011/9/14 9:51:05
三安光电称，此发明可改善蓝宝石衬底上GaN基外延晶格质量及提高GaN基led取光效率，有效提升照明级白光led芯片亮度及技术水平。
https://www.alighting.cn/news/20110914/115709.htm2011/9/14 9:20:32
通过开环聚合制备了透明的聚(二甲基-甲基苯基-甲基乙烯基)硅氧烷共聚物,考察了聚合条件对产物结构与性能的影响。以该共聚物为基础聚合物,含氢硅油为交联剂,在karstedt催化剂作
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127153.htm2011/9/14 9:13:11
科学家们在美国能源部的资助下，借用最先进的理论计算证明，在氮化镓(GaN)化合物中，2%的氮化镓由锑(sb)替代，这样结合而成的新合金将拥有适宜的电学特性。当其浸入水中并暴露于阳
https://www.alighting.cn/news/20110913/100147.htm2011/9/13 10:42:07
氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57
目概况：海洋高新区扩展区一期路灯工程（一标段）。本工程主要是建设黄山、滨州南、云海、海缘西、华山、宁海、滨宇、7米路路灯工程。其中灯杆632基，电缆25825米，路灯电压为380v，
http://blog.alighting.cn/cmjlaya/archive/2011/9/9/236088.html2011/9/9 9:42:36
在传统的二步mocvd外延生长的基础上 ,报道了一种在低压mocvd中用三步外延生长GaN材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的aln层来减少al
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127170.htm2011/9/9 9:12:43
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了inGaN长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导GaN激光器,激光器的腔面为ga
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
