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延技术专家andrei vescan教授；中山大学半导体照明系统研究中心主任、科技部863“半导体照明工程”总体专家组成员王钢教授；国内gan蓝光芯片研究和MOCVD技术研究专家
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304525.html2012/12/17 19:38:17
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304554.html2012/12/17 19:38:37
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304609.html2012/12/17 19:39:08
一之后，行业的发展会渐趋规范。目前市面上的led照明产品存在一个问题：使用一段时间后亮度开始衰弱。这是led大规模应用的一个阻碍。刘颂豪认为，MOCVD技术是led产业发展潜在的软
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/8/12/323254.html2013/8/12 9:21:21
是led大规模使用的一个阻止。MOCVD技能是led工业开展潜在的软肋。MOCVD全称“金属有机物气候化学堆积”，是制备led上的pn结的要害技能。因为有关设备制作难度很高，国内le
http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/20/324226.html2013/8/20 11:38:28
般的方法很难制备单晶体材料,目前制造inn薄膜最常用的方法是mbe、hvpe、磁控溅射、MOCVD技术。二是很难找到合适的衬底,由于inn单晶非常难获得,所以必须得异质外延inn薄
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00
d照明渗入渗出率可望到达6~10%。上游MOCVD机台到2011年将有5倍的增加，必将引来15倍的产能扩大。对led景观灯具厂商来说，led价格的降落是一种侧面影响，这能使他们的产
http://blog.alighting.cn/110231/archive/2011/9/17/236636.html2011/9/17 16:06:19
龙交通总经理陈斌表示，led照明灯上游MOCVD机台到2011年将有5倍的增长，必将引来15倍的产能扩张。而背光源是今年的扩张产能最好的释放口，如果背光源今年的增长达到预期，那
http://blog.alighting.cn/110231/archive/2011/10/8/243463.html2011/10/8 9:29:55
度MOCVD设备的投资超过市场的最大负荷，所以造成很多的芯片生产设备投资商变得更为慎重，或者选择透过产能共享或上下游供应链策略合作，取得更有竞争力的成本。led背光封装第2季报价的降价幅
http://blog.alighting.cn/leddgb/archive/2012/7/13/281817.html2012/7/13 21:23:47
led产品外延结构的的内量子效率（iqe）对其亮度有着决定性的影响，而很多人的误解是iqe由MOCVD工艺决定，其实iqe应该是由led照明外延材料的设计决定。而国内缺少的恰
http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/9/313815.html2013/4/9 9:36:11
