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0 Nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3）倒装芯片技术 algaiNN基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上，欧姆接触的p电极和N电极只能制备在外延表面的同一
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39
4------+vf N i总=单颗led的if值 2． 并联:这种电路需要电源能提供较高的电流. v总=单颗led的vf 值 i总=各led的if之和=if1+if2+if3+if
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271691.html2012/4/10 23:22:23
子发射产生可见光。 （一）led的发展历史应用半导体p·N结发光源原理制成led问世于20世纪60年代初，1964年首先出现红色发光二极管，之后出现黄色led。直到1994年蓝色
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271697.html2012/4/10 23:22:48
前最新的製程是用混合铝(al)、钙(ca) 、銦(iN)和氮(N)四种元素的algaiNN 的四元素材料製造的四元素led，可以涵盖所有可见光以及部份紫外光的光谱范围。发光强度：发
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271770.html2012/4/10 23:32:26
镓(ga)铟(iN)磷(p)氮(N)锶(ｓi)这几种元素中的若干种组成。 三、led晶片的分类 1、按发光亮度分： a、一般亮度：r﹑h﹑g﹑y﹑e等 b、高亮度：vg﹑vy
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271820.html2012/4/10 23:38:15
入p区和N区，当非平衡少数载流子与多数载流子复合时，就会以辐射光子的形式将多余的能量转化为光能。其发光过程包括三个部分：正向偏下的载流子注入、复合辐射和光能传输。在led得两端加
http://blog.alighting.cn/www.nengzhaoled.com/archive/2012/4/16/272203.html2012/4/16 10:21:06
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274699.html2012/5/16 21:27:04
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274751.html2012/5/16 21:29:47
5（westerN australia 西澳大利亚） v90263(victoria 维多利亚) N10422(New south wales 新南威尔士) 二、电器saa认证需
http://blog.alighting.cn/TESTING/archive/2012/5/21/275651.html2012/5/21 14:51:00
