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d生长ingaalp外延片技术已相当成熟。ingaalp外延生长的基本原理是,在一块加热至适当温度的gaas衬底基片上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到gaas衬底表面,生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
备打下了基矗图5为不同激活剂含量下该稀土铝酸盐荧光粉的发射光谱。铝酸盐荧光粉的发射主峰位于680nm以上,而镓酸盐的发射主峰的波长更长,在700nm以上。 在不同的激活剂含量下,发
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229950.html2011/7/17 23:30:00
2led光源与其他光源不同,它的工作电流在额定范围内可大可校这一特性为led灯具实现亮度无级控制奠定了基矗目前,隧道led亮度智能无级控制系统已经研发成功,它的推广应用,必将对公路隧
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229953.html2011/7/17 23:33:00
小功率led 获得广泛的应用。从上世纪九十年代开始,由于led 外延芯片技术上的突破,使超高亮四元系algainp 和gan 基的led 既能发射可见光波长的光可组合各种颜色和白
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00
要,衬底材料的制备要求简洁,成本不宜很高。衬底尺寸一般不小于2英寸。当前用于gan基led的衬底材料比较多,但是能用于商品化的衬底目前只有两种,即蓝宝石和碳化硅衬底。其它诸如gan
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00
应稳定在额定值的±0.5%的范围内;测量时,电源电压应稳定在额定值的±0.2%的范围内,基波频率偏差不得大于0.1%,谐波失真小于3%;寿命试验的电源电压应稳定在±2%以内。
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230135.html2011/7/19 0:03:00
动器、肖特基二极管和电感也都有多种选择，
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230162.html2011/7/19 0:19:00
至3倍该频率下工作，但转换效率会降低。在toff期间，储存在电感中的能量将被转移到led，只在肖特基二极管上有一些损耗。储存在电感中的能量为：eq1系统可以以连续或非连续模式工
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230334.html2011/7/20 0:13:00
源元件，从而节约了成本。linear公司推出片上集成肖特基二极管的白色led驱动器，这样，驱动电路只需两个外部电容器、一个电阻器和一个电感器。而一般白色led驱动器是集成mosfe
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230340.html2011/7/20 0:16:00
路和升压开关管，但是电感和用于续流的肖特基二极管还是外接的，这增加了电路的复杂性、成本和pcb面积。此外，由于闪光灯驱功电路、led、显示屏、手机天线一般位于手机上端，与手机的射频电
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