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lEd芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232833.html2011/8/19 1:07:00

升级利器 氙气前照灯改装探密

合专门为其设计的配光镜和反射镜,因而成为一种最理想的改装方法。目前可改装氙气前照灯总成的车型,包括了帕萨特 b5 ,奥迪 a6 c5 ,以及宝马 5 系和奔驰 E- 级系列等。采用这

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232829.html2011/8/19 1:02:00

改装车灯瓦数与颜色有限制

4 、 hb5 ,车主可以在车灯的玻璃下角找到该灯的型号,只要仔细对照选购相应车灯就行了。不同品牌的车灯有时功率虽然相同,但是因为使用了不同的材料,加上发电气体不同,发光效果相差很

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232827.html2011/8/19 1:01:00

2048像素lEd平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型lEd智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度lEd平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。表

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232825.html2011/8/19 1:00:00

2048像素lEd平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型lEd智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度lEd平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。表

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232826.html2011/8/19 1:00:00

光纤lEd驱动电路的设计

元位于圆形陈列天线中央位置,这就需要在阵列信号处理单元与位于1~2km以外的微机之间进行双工通信。为了减少数据传输时间在整个系统处理时间指标中所占的比重,要求数据传输率应不小于E1(

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232823.html2011/8/19 0:51:00

大电流lEd调光方法的对比分析

高和最低lEd电流平均值分别由式1和式2表示。ilEd_max=ddim_max×ilEd (1)式4和式5表达了ddim_max、ddim_min与lEd驱动器的传

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232822.html2011/8/19 0:40:00

大电流lEd调光方法的对比分析

期开始前,从所需的正向电流降低至零的时间;ddim_min表示最小占空比,即lEd电流由零升至所需的正向电流(if)的时间。从图1(a)可见,ddim_max和ddim_min用式

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232821.html2011/8/19 0:37:00

大电流lEd调光方法的对比分析

5表示。ddim_max=(t-tsd)/t (4)ddim_min=(td+tsu)/t (5)其中,t为调光周期(t=1/fdim),td为从dim脉冲上升沿到电源fEt第一

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232820.html2011/8/19 0:34:00

lEd芯片寿命试验

件的特点,经过对比试验和统计分析,最终规定了0.3×~0.3mm2以下芯片的寿命试验条件:● 样品随机抽取,数量为8~10粒芯片,制成ф5单灯;● 工作电流为30ma;● 环境条件

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232818.html2011/8/19 0:29:00

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