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led芯片的技术发展状况

度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261521.html2012/1/8 21:47:42

led芯片的技术发展状况

度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262683.html2012/1/29 0:37:42

led芯片的技术发展状况

度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262693.html2012/1/29 0:38:17

led芯片的技术发展状况

度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271785.html2012/4/10 23:33:32

led芯片的技术发展状况

度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271795.html2012/4/10 23:36:34

led芯片的技术发展状况

度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274725.html2012/5/16 21:28:19

led芯片的技术发展状况

度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274735.html2012/5/16 21:29:01

华灿光电推出“熠”系列白光用高压芯片

近期,华灿光电先后推出白光用高压芯片“熠”系列,包含9v、12v、24v等芯片产品,其中12v高压芯片在20ma驱动电流下光效≥140lm/w。

  https://www.alighting.cn/pingce/20140404/121712.htm2014/4/4 10:44:21

基于不同衬底材料高出光效率led芯片研究进展

提高led芯片的出光效率是解决led光源大功率化和可靠性的根本。根据led芯片所用衬底材料的不同,总结了近年来提高gan基led出光效率的研究进展,介绍了新的设计思路、工艺结构

  https://www.alighting.cn/2014/10/24 11:41:38

国产led芯片与国际大咖的技术层次差异浅析

led芯片走过前几年产能过剩引起的低迷期后,随着下游led照明市场需求的起量,开始复苏。过去的2014年上半年,led照明产业由于下游应用市场需求的快速增长,给整个上游带

  https://www.alighting.cn/news/20140708/87260.htm2014/7/8 10:58:59

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